brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R TO-220C 100 V 120A Specyfikacja urządzenia DH10H035R.pdf
5A 500 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500 V 5A Specyfikacja urządzenia D5N50 i B5N50.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650V SiC DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650 V 20A Specyfikacja urządzenia DCCT20D65G4.pdf
20A 200V NISKI VF Schottky'egoDioda barierowa MBR20R200CT TO-220C MBR20R200CT TO-220C 200 V 20A 英文版MBR20R200CT技术规格书.pdf
80A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40 V 80A Specyfikacja urządzenia DH065N04.pdf
5A 500 V tryb wzmocnienia kanału N moc MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 TO-252B 500 V 5A Specyfikacja urządzenia D5N50 i B5N50.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500 V 5A DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500 V 4A DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500 V 4A DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200 V 110A DSN108N20N_Arkusz danych_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500 V 3A DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
240A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS020N88U TOLL pakiet DHS020N88U MYTO 85 V 285A DHS020N88U_Arkusz danych_V2.0.pdf
175A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80 V 175A DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
10A 150V Schottky'egoDioda barierowa MBR10150CT TO-263 MBR10150CT TO-263 150 V 10A MBR10150CT技术规格书.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500 V 7A DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
2A 650 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D2N65 TO-252B D2N65 TO-252B 650 V 2A 英文版D2N65技术规格书.pdf
30A 60V NISKI VF Schottky'egoDioda barierowa MBR30R60CTS TO-220C MBR30R60CTS TO-220C 60 V 30A MBR30R60CTS 技术规格书REV.1.0..pdf
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką 50A, 650 V, G50T65LBBW TO-247 G50T65LBBW TO-247 650 V 50A _arkusz danych(1)(1).pdf
36A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 TO-247-4L 1200 V 36A Specyfikacja urządzenia DCC080M120A.pdf
170A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40 V 170A Specyfikacja urządzenia DHS020N04P Rev.2.0.pdf

Film o produkcie

  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą