未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
7A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 7N65 TO-220C 7N65 TO-220C 650 V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
15A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 15N65 TO-220C 15N65 TO-220C 650 V 15A
30A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60 V 30A Specyfikacja urządzenia DHZ24B31.pdf
30A 650V Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką Trenchstop DGF30F65M2 TO-220F DGF30F65M2 TO-220F 650 V 30A _arkusz danych.pdf
110A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60 V 110A Urządzenie+DH066N06+Specyfikacja+Rev.2.0.pdf
18A 100 V tryb wzmocnienia kanału P MOSFET mocy DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100 V 18A Urządzenie DH100P18 B79 Specyfikacja.pdf
17A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650 V 17A Specyfikacja urządzenia DHSJ17N65.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 60A 300V MUR6030NCS TO-3PN MUR6030NCS TO-3PN 300 V 60A Plik MUR6030NCS 技术规格书.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 10A 45V MBRF1045CT TO-220F MBRF1045CT TO-220F 45 V 10A 英文版MBR1045CT series技术规格书.pdf
Moduł półmostkowy 600A 1200V DGB600H120L2T 62mm DGB600H120L2T 62 mm 1200 V 600A DGB600H120L2T.pdf
110A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 TO-220C 85 V 110A Specyfikacja urządzenia DHS055N85.pdf
OPŁATA N-MOSFET 100V/2mΩ/281A DSU023N10N3 MYTO 100 V 281A DSU023N10N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 10A 700V MUR1070 TO-220-2L MUR1070 TO-220-2L 700 V 10A 英文版MUR1070技术规格书.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 40A 600V MUR40FU60DCT TO-3PN MUR40FU60DCT TO-3PN 600 V 40A 英文版MUR40FU60DCT技术规格书.pdf
10A 600V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F10N60 TO-220F F10N60 TO-220F 600 V 10A 英文版F10N60技术规格书.pdf
10A 700V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F10N70 TO-220F F10N70 TO-220F 700 V 10A 英文版F10N70技术规格书REV1.0.pdf
20A 200V Schottky'egoDioda barierowa MBRF20200CT TO-220F MBRF20200CT TO-220F 200 V 20A Przeczytaj MBRF20200CT 技术规格书REV1.1.pdf
30A 45V NISKI VF Schottky'egoDioda barierowa MBR30R45CTS TO-220C MBR30R45CTS TO-220C 45 V 30A 英文版MBR30R45CTS series技术规格书.pdf
180A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 TO-220C 85 V 180A DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Arkusz danych_V2.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30 V 100A Urządzenie DH100N03 B13 Specyfikacja.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com