未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
Wybrane linie produktów:

Wszystkie produkty

obrazu modelu Pakiet V A arkusza szczegółowe informacje na temat danych Dodaj do kosza
200A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30 V. 200a Device DH020N03 (B39) Specyfikacja. PDF
130A 40V NEC CANLECTEMENT MOC MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40v 130a Urządzenie DH025N04 Specyfikacja.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100 V. 68a DH140N10B i DH140N10D_DATASHEET_V1.0.PDF
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700 V. 4a 英文版 D4N70 技术规格书 .pdf
120A 80V Tryb wzmacniający N-kanał N Power MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C i TO-263 DSG047N08N3 To-220C 80v 120a DSG047N08N3 i DSE047N08N3_DATASHEET_V1.0.PDF
130A 100 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DHS037N10/ DHS037N10F/ DHS037N10E
20A 650 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
Tryb wzmacniający kanał N 80A 80 V MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 To-220C 80v 80a Urządzenie DH80N08 B22 Specyfikacja.pdf
Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100 V. 30a Urządzenie DH100P30AD Specyfikacja PDF
105A 40V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40v 130a Urządzenie DH025N04 Specyfikacja.pdf
300A 100 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET MOSFET DSU021N10NA Pakiet opłat DSU021N10NA MYTO 100 V. 300A Urządzenie+DSU021N10NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
30A 200 V Dioda szybkiego odzyskiwania MUR3020DCT Mur3020dct TO-3PN 200 V. 30a 英文版 MUR3020DCT 技术规格书 Rev1.0.pdf
40A 60 V Tryb wzmacniający kanał P Moc MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 To-220C 60 V. 40a Urządzenie DH400P06 Specyfikacja.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 20A 400V MUR2040CT TO-220C Mur2040ct To-220C 400 V. 20a 英文版 MUR2040CT 技术规格书 (2) .pdf
30A 100 V Dioda barierowa Schottky MBRD30100CT TO-252B MBRD30100CT TO-252B 100 V. 30a 英文版 MBRD30100CT 技术规格书 Rev1.0.pdf
-30a -100 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C To-220C -100V -30a Urządzenie DH100P30CB1Q Specyfikacja. PDF
60A 300V Dioda szybkiego odzyskiwania MU6030NCS do 3pn Mur6030ncs TO-3PN 300 V. 60a 英文版 Mur6030ncs 技术规格书 .pdf
10A 45V Dioda barierowa Schottky MBRF1045CT TO-220F MBRF1045CT Do-220f 45v 10a 英文版 Seria MBR1045CT 技术规格书 .pdf
110A 85 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 To-220C 85 V. 110a Urządzenie DHS055N85 Specyfikacja. PDF
100 V/2MΩ/281A N-MOSFET TOLL DSU023N10N3 MYTO 100 V. 281a DSU023N10N3_DATASHEET_V1.0.PDF

Wideo produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com