未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукты
Модель:
Упаковка:
V:
A:
Выбранные линейки продуктов:

Все продукты

изображений модели Пакет v Анаширование данных сведения о данных Добавить в корзину
200A 30 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH020N03D до 252B DH020N03D До 252b 30 В 200a Устройство DH020N03 (B39) Спецификация.pdf
130A 40 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH025N04D до 252B DH025N04D До 252b 40 В 130a Устройство DH025N04 Specification.pdf
N-канальный режим улучшения мощности Mosfet 68a 100V DH140N10D До 252b 100 В 68а DH140N10B & DH140N10D_DATASHEET_V1.0.PDF
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 4A 700V D4N70 до 252B D4N70 До 252b 700 В. 4а 英文版 d4n70 技术规格书 .pdf
120A 80 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C & TO-263 DSG047N08N3 До-220c 80 В 120a DSG047N08N3 & DSE047N08N3_DATASHEET_V1.0.PDF
130A 100 В n-канальный режим улучшения режима мощности DHS037N10/ DHS037N10F/ DHS037N10E
20A 650V N-канальный режим режима Power MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
80A 80 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 До-220c 80 В 80A Устройство DH80N08 B22 Specification.pdf
P-Channel Mode Mode Power MOSFET 30A 100 В DH100P30AD до 252B DH100P30AD До 252b 100 В 30A Устройство DH100P30AD спецификация.pdf
105A 40 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40 В 130a Устройство DH025N04 Specification.pdf
300A 100 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DSU021N10NA Пакет Toll Package DSU021N10NA ПОТЕРИ 100 В 300а Устройство+DSU021N10NA+Спецификация+Rev.1.0.pdf
30A 200 В диод быстрого восстановления MUR3020DCT MUR3020DCT До 3pn 200 В 30A 英文版 MUR3020DCT 技术规格书 Rev1.0.pdf
40A 60 В. DH400P06 До-220c 60 В 40a Устройство DH400P06 Specification.pdf
Диод быстрого восстановления 20A 400V MUR2040CT TO-220C MUR2040CT До-220c 400 В. 20А 英文版 mur2040ct 技术规格书 (2) .pdf
30A 100V Schottky Barrier Diode MBRD30100CT TO-252B MBRD30100CT До 252b 100 В 30A 英文版 MBRD30100CT 技术规格书 Rev1.0.pdf
-30A -100V P-канал режим улучшения мощности MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C До-220c -100 В. -30а Устройство DH100P30CB1Q SPECICATION.PDF
60a 300V Диод быстрого восстановления MUR6030NCS TO-3PN MUR6030NCS До 3pn 300 В. 60A 英文版 MUR6030NCS 技术规格书 .pdf
10A 45V Schottky Barrier Diode MBRF1045CT TO-220F MBRF1045CT До-220f 45 В. 10а 英文版 MBR1045CT Series 技术规格书 .pdf
110A 85V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 До-220c 85 В 110a Устройство DHS055N85 Specification.pdf
100 В/2 МОм/281A N-MOSFET Toll DSU023N10N3 ПОТЕРИ 100 В 281a DSU023N10N3_DATASHEET_V1.0.PDF

Продукт видео

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com