Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
12 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH850N10D TO-252B ДХ850Н10Д ТО-252Б 100 В 12А Спецификация устройства DH850N10D (1).pdf
0,8 А, 600 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор B1N60 TO-251 Б1Н60 ТО-251Б 600В 0,8А
Полумостовой IPM 500 В/5 А DPQA05HB50MF SOP-11 ДПQA05HB50MF СОП-11 500В 5А DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
310 А, 20 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH009N02 TO-220C ДХ009N02 ТО-220С 20 В 310А Спецификация устройства DH009N02.pdf
60А 300В Диод быстрого восстановления MUR6030NCA TO-3PN MUR6030NCA ТО-3ПН 300В 60А 英文版 MU
60А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH081N03D TO-252B DH081N03D ТО-252Б 30В 60А Спецификация устройства DH081N03.pdf
Полумостовой модуль 450 А, 1200 В IGBTModule DGB450H120L2T 62 мм ДГБ450Х120Л2Т 62 мм 1200В 450А DGB450H120L2T-REV1.1.pdf
30 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH081N03R DFN3*3-8 ДХ081Н03Р ДФН3*3-8 30В 30А Спецификация устройства DH081N03R.pdf
25 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор 25N10 TO-220C ДХ025Н03 ТО-220С 30В 150А Спецификация устройства DH025N03.pdf
120 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH025N03P DFN5*6 ДХ025Н03П DFN5X6 30В 120А Спецификация устройства DH025N03P(1)(1).pdf
60 А, 68 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH105N07P DFN5*6-8 ДХ105Н07П ДФН5*6-8 70В 56А DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf
Серия триаков 600 В/800 В 4 А BT134-600E TO-126 БТ134-600Э ТО-126 600 В/800 В 4А 英文版BT134-126技术规格书.pdf
30 А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHDZ24 TO-252B ДХДЗ24 ТО-252Б 60В 30А Спецификация устройства DHZ24B31.pdf
10 А, 400 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F740 TO-220F Ф740 ТО-220Ф 400В 10А Спецификация устройства 740.pdf
Диод с барьером Шоттки, 20 А, 100 В MBR20100CT TO-252 МБР20100CT ТО-252 100 В 20А 英文版MBR20100CT 技术规格书.pdf
320 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH012N03D TO-252B ДХ012Н03Д ТО-252Б 30В 320А Спецификация устройства DH012N03.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 180 А, 40 В DHS020N04D TO-252B DHS020N04D ТО-252Б 40В 180А Спецификация устройства DHS020N04D.pdf
320 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH012N03 TO-220C ДХ012N03 ТО-220С 30В 320А Спецификация устройства DH012N03.pdf
-30A -60V Режим улучшения P-канала Power MOSFET DH300P06D TO-252B ДХ300П06Д ТО-252Б -60В -30А Спецификация устройства DH300P06.pdf
35А, 120 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSD270N12N3 TO-252B ДСД270Н12Н3 ТО-252Б 120 В 35А Устройство+DSD270N12N3+Спецификация+Ред.1.0.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com