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MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 63A y 60 V DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
Transistor de silicio epitaxial NPN 13003G5 TO-126 13003G5
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal P de 140 A y 30 V DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
diodo de barrera Schottky de 6A 650V SiC DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 12A 100V DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100V 12A Especificación del dispositivo DH1K1N10.pdf
MOSFET D7509 TO-220C de potencia del modo de mejora del canal N de 80A 75V D7509 TO-220C 75V 80A Especificación del dispositivo D7509.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80V 180A Especificación del dispositivo DH8004 (2).pdf
Transistor bipolar DGC60F65M TO-247 de puerta aislada Trenchstop de 60A 650V DGC60F65M A-247 650V 60A _hoja de datos-12.26.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 19A 80V DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80V 19A Especificación del dispositivo DH300N08.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 61A 60V DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60V 61A Especificación del dispositivo DH16N06.pdf
-30A -60V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30A DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 240A 100V DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100V 240A Especificación del dispositivo DHS025N10.pdf
Diodo recuperación rápida 16A 400V MUR1640CT TO-220M MUR1640CT A-220M 400V 16A 英文版MUR1640CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET F7N70 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 7A 700V F7N70 TO-220F 700V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 120A 80V DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C y TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80V 120A DSG047N08N3 y DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky 20A 100V MBRA20100CT TO-220M MBRA20100CT
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B A-247 1500V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
PAQUETE DE PEAJE MOSFET DHS010N04U de potencia de modo de mejora de canal N de 300A y 40 V DHS010N04U PEAJE 40V 300A DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N de 36A 1200V DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A A-247 1200V 36A Especificación del dispositivo DCC080M120A.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 210A 60V N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60V 180A Especificación del dispositivo N6005B40.pdf

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