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-140A -60V Modo de mejora del canal P potencia MOSFET DTG050P06LA TO-220C Dtg050p06la A 220c -60V -140a Dispositivo+DTG050P06LA+Especificación+Rev.1.0.pdf
170A 40V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170A Dispositivo DHS020N04P Especificación Rev.2.0.pdf
180A 100V Modo de mejora del canal MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA A 263 100V 180A Dispositivo+DSE026N10NA y DSG028N10NA+Especificación+Rev.1.0.pdf
75A 1200V Puerta de zanjes de trinchera Transistor bipolar DGC75F120M2 TO-247PLUS DGC75F120M2 TO-247PLUS 1200V 75a _datasheet-v1.2.pdf
12a 60V N-canal Modo de mejora MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 A 252b 60V 12A Dispositivo D12N06 Especificación (TO-252B) .pdf
40A 1200V Puerta de zanja aislada Transistor bipolar G40N120D TO-247 G40N120D To-247 1200V 40A G40N120D - Dataheet.pdf
650V 650V Puerta aislada Transistor bipolar G60T65D TO-3PN DHG60T65D A 3pn 650V 60A Dispositivo DHG60T65D Especificación (TO-3PN) Rev1.2.pdf
175A 80V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 A 220c 80V 175a Dhs035n88 y dhs035n88e & dhs035n88i_dataSheet_v2.0.pdf
15a 40V Modo de mejora del canal P potencia MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 A 252b -40V -30A AOD413 y AOB413-B2E_DATASHEET_V1.0.PDF
80A 40V N-canal Modo de mejora de la potencia MOSFET DH045N04P PAQUETE DFN5X6 DH045N04P Dfn5x6 40V 80A Dispositivo DH045N04P Especificación (1) .PDF
36A 1200V N-canal SIC MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A To-247 1200V 36A Dispositivo DCC080M120A Especificación.PDF
Sic Schottky Barrera Diodo 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
54A 30V N-canal Modo de mejora MOSFET DH060N03R DFN3 × 3-8L DH060N03R Dfn3x3 30V 54A Dispositivo DH060N03R Especificación.PDF
Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B A 251b 68V 100A Dispositivo DH060N07D Especificación.PDF
90A 80V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 A 252b 80V 90A Dispositivo DHD80N08 Especificación.PDF
18a 100V Modo de mejora del canal P Potencia MOSFET DH100P18D TO 252B Dh100p18d A 252b 100V 18A Dispositivo DH100P18 B79 Especificación.PDF
NPN Transistor de silicio epitaxial 2SD882 a 126 2SD882 A-126 40V 3A 英文版 D882 技术规格书 .pdf
96A 30V N-canal Modo de mejora MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5X6-8L 30V 96a Dispositivo DH030N03P Especificación.PDF
17A 650V N-canal Super Junction Power MOSFET DHSJ17N65 a 220C Dhsj17n65 A 220c 650V 17A Dispositivo DHSJ17N65 Especificación.PDF
7.6A 650V N-canal Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 A 220F 650V 7.6a Dhfsj8n65_datesheet_v1.0.pdf

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