未命名(1)(8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos
Modelo:
Paquete:
V:
A:
LÍNEAS DE PRODUCTOS SELECCIONADAS:

Todos los productos

Imagen Modelo Paquete V A Ficha técnica Detalles Consulta Añadir al carrito
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 130A 40V DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40V 130A Especificación del dispositivo DH025N04.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal P de 140 A y 30 V DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
Transistor bipolar DGC25H120M2 TO-247 de puerta aislada Trenchstop de 25A 1200V DGC25H120M2 A-247 1200V 25A
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P de 40A 60V DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60V 40A Especificación del dispositivo DH400P06.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Especificación del dispositivo DH060N07D.pdf
MOSFET F10N50 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 10A 500V F10N50 TO-220F 500V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85V 120A Especificación del dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 60V DHS025N06E TO-263 DHS025N06E A-263 60V 180A  DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia 20N65D TO-3P del modo de mejora del canal N de 20A 650V 20N65D A-3PN 650V 20A 英文版20N65D技术规格书REV1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky 10A 45V MBR1045CT TO-252 MBR1045CT TO-252B 45V 10A 英文版MBR1045CT series技术规格书.pdf
MOSFET de potencia 8N60 TO-220C del modo de mejora del canal N de 8A 600V 8N60 TO-220C 600V 8A 英文版8N60技术规格书.pdf
-50A -40V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DH160P04D TO-252B DH160P04D TO-252B -40V -50A DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky 10A 100V MBR10100CT TO-220M MBR10100CT A-220M 100V 10A 英文版MBR10100CT技术规格书.pdf
MOSFET B4N65 TO-251 de potencia del modo de mejora del canal N de 4A 650V B4N65 A-251 650V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
MOSFET de potencia 8N50 TO-220C del modo de mejora del canal N de 8A 500V 8N50 TO-220C 500V 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
MOSFET D9N65 TO-252B de potencia del modo de mejora del canal N de 9A 650V D9N65 TO-252B 650V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 40V DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40V 100A DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 120A 100V DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100V 120A Especificación del dispositivo DH10H037R.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 120A 98V DHS046N10 TO-220C DHS046N10 TO-220C 98V 120A Especificación del dispositivo DHS046N10.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 112A 68V DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68V 112A DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf

Vídeo del producto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnología por leadong.com