未命名 (1) (8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter
Modell:
Paket:
V:
A:
Valda produktlinjer:

Alla produkter

Bildmodellpaket v Datablad korgen a till beskriver förfrågan Lägg i
-140A -60V P-kanalförbättringsläge Power MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Enhet+DTG050P06LA+Specifikation+Rev.1.0.pdf
170A 40V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170A Enhet DHS020N04P Specifikation Rev.2.0.pdf
180A 100V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA Till-263 100V 180A Enhet+DSE026N10NA & DSG028N10NA+Specifikation+Rev.1.0.pdf
75A 1200V Trenchstop Isolated Gate Bipolar Transistor DGC75F120M2 TO-247PLUS DGC75F120M2 TO-247PLUS 1200V 75a _DataSheet-V1.2.pdf
12A 60V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60V 12a Enhet D12N06 Specifikation (TO-252B) .PDF
40A 1200V Trenchstop Isolated Gate Bipolar Transistor G40N120D TO-247 G40N120D Till 247 1200V 40A G40N120D - Datablad.pdf
60A 650V isolerad grindbipolär transistor G60T65D TO-3PN DHG60T65D Till-3pn 650V 60a Enhet DHG60T65D-specifikation (TO-3PN) Rev1.2.pdf
175A 80V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80v 175a DHS035N88 & DHS035N88E & DHS035N88I_DATASHEET_V2.0.PDF
15A 40V P-kanalförbättringsläge Power MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40V -30a AOD413 & AOB413-B2E_DATASHEET_V1.0.PDF
80A 40V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH045N04P DFN5X6-paket DH045N04P Dfn5x6 40V 80a Enhet DH045N04P -specifikation (1) .PDF
36A 1200V N-kanal Sic Power MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A Till 247 1200V 36a Enhet DCC080M120A -specifikation.pdf
SIC Schottky Barrier Diode 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
54A 30V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH060N03R DFN3 × 3-8L DH060N03R Dfn3x3 30V 54A Enhet DH060N03R -specifikation.pdf
N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100a Enhet DH060N07D -specifikation.pdf
90A 80V N-kanal förbättringsläge Power MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80v 90A Enhet DHD80N08 -specifikation.pdf
18A 100V P-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100V 18a Enhet Dh100p18 B79 specifikation.pdf
NPN Epitaxial Silicon Transistor 2SD882 TO-126 2sd882 Till-126 40V 3A 英文版 D882 技术规格书 .pdf
96A 30V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5X6-8L 30V 96a Enhet DH030N03P -specifikation.pdf
17A 650V N-kanal Super Junction Power MOSFET DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650V 17a Enhet DHSJ17N65 Specifikation.pdf
7.6A 650V N-kanal Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F Dhfsj8n65 TO-220F 650V 7.6A Dhfsj8n65_datesheet_v1.0.pdf

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registrera dig för vårt nyhetsbrev
  • Gör dig redo för den framtida
    registreringen för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt till din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology av Leadong.com