未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
130A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40V 130A Laite DH025N04 Specification.pdf
140A 30V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
25 A 1200 V:n pysäytyseristetty kaksinapainen porttitransistori DGC25H120M2 TO-247 DGC25H120M2 TO-247 1200V 25A
40A 60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 -220C 60V 40A Laite DH400P06 Specification.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Laitteen DH060N07D Specification.pdf
10A 500V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F10N50 TO-220F F10N50 TO-220F 500V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 -220C 85V 120A Laite DHS045N88 Specification-Rev.1.0.pdf
180A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60V 180A  DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
20A 650V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET 20N65D TO-3P 20N65D TO-3PN 650V 20A 英文版20N65D技术规格书REV1.0.pdf
10A 45V SchottkyBarrierDiode MBR1045CT TO-252 MBR1045CT TO-252B 45V 10A 英文版MBR1045CT series技术规格书.pdf
8A 600 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 8N60 TO-220C 8N60 -220C 600V 8A 英文版8N60技术规格书.pdf
-50A -40V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH160P04D TO-252B DH160P04D TO-252B -40V -50A DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
10A 100V SchottkyBarrierDiode MBR10100CT TO-220M MBR10100CT TO-220M 100V 10A 英文版MBR10100CT技术规格书.pdf
4A 650 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET B4N65 TO-251 B4N65 TO-251 650V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
8A 500 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 8N50 TO-220C 8N50 -220C 500V 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
9A 650 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 TO-252B 650V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
100A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40V 100A DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
120A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R -220C 100V 120A Laitteen DH10H037R Specification.pdf
120A 98V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 -220C 98V 120A Laite DHS046N10 Specification.pdf
112A 68V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 -220C 68V 112A DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com