未命名 (1) (8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
Valitut tuotelinjat:

Kaikki tuotteet

Kuvamallipaketti ​ ​ v taulutaulutiedot ​ Kysely koriin Lisää
-140A -60 V P-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60 V -140A Laite+dtg050p06la+spesifikaatio+rev.1.0.pdf
170A 40V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P Dfn5*6-8 40 V 170a Laite DHS020N04P Specification Rev.2.0.pdf
180a 100v N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100 V 180a Laite+DSE026N10NA & DSG028N10NA+Specification+Rev.1.0.pdf
75A 1200 V Trenchstop Eristetty portti Bipolaarinen transistori DGC75F120M2 TO-247Plus DGC75F120M2 To-247Plus 1200 V 75a _DataSheet-v1.2.pdf
12A 60V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60 V 12a Laite D12N06 -määritys (TO-252B) .pdf
40A 1200V Trenchstop-eristetty portti kaksisuuntainen transistori G40N120D TO-247 G40N120D To-247 1200 V 40a G40N120D - DATECHEET.pdf
60A 650 V eristetty portti kaksisuuntainen transistori G60T65D TO-3PN DHG60T65D TO-3PN 650 V 60a Laite DHG60T65D Specification (TO-3PN) Rev1.2.pdf
175A 80V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80 V 175a DHS035N88 & DHS035N88E & DHS035N88I_DataSheet_v2.0.pdf
15A 40V P-kanavan parannusmoodi MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40V -30a AOD413 & AOB413-B2E_DataSheet_v1.0.pdf
80A 40V N-kanavan parannustila Power MOSFET DH045N04P DFN5X6 -paketti DH045N04P Dfn5x6 40 V 80a Laite DH045N04P -määritys (1) .pdf
36A 1200V N-kanava SiC Power MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A To-247 1200 V 36a Laite DCC080M120A Specification.pdf
SiC Schottky Barrier Diode 5A 1200 V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
54A 30V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH060N03R DFN3 × 3-8L DH060N03R DFN3X3 30 V 54a Laite DH060N03R Specification.pdf
N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68 V 100a Laite DH060N07D Specification.pdf
90A 80V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80 V 90a Laite DHD80N08 Specification.pdf
18A 100V P-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100 V 18a Laite DH100P18 B79 Specification.pdf
NPN-epitaksiaalinen pii-transistori 2SD882-126 2SD882 To-126 40 V 3a 英文版 D882 技术规格书 .pdf
96A 30V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P Dfn5x6-8l 30 V 96a Laite DH030N03P Specification.pdf
17A 650 V N-Channel Super Junction Power Mosfet DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650 V 17a Laite dhsj17n65 spesifikaatio.pdf
7.6A 650 V N-Channel Super Junction Power Mosfet DHFSJ8N65 TO-220F Dhfsj8n65 TO-220F 650 V 7.6a Dhfsj8n65_datesheet_v1.0.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Rekisteröidy uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaisuuteen
    rekisteröityäksesi uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan postilaatikkoosi
    Lähettää
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd -teknologia by Leang.com