未命名 (1) (8) (1)
port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter
Model:
Pakke:
V:
EN:
Valgte produktlinjer:

Alle produkter

Billedmodelpakke v Et datablad til Føj detaljerede undersøgelser kurv
-140a -60V P-kanalforbedringstilstand Power MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140a Enhed+DTG050P06LA+Specifikation+Rev.1.0.pdf
170a 40V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170a Enhed DHS020N04P Specifikation Rev.2.0.pdf
180a 100V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100v 180a Enhed+DSE026N10NA & DSG028N10NA+Specifikation+Rev.1.0.pdf
75A 1200V Trenchstop Isoleret gate Bipolar transistor DGC75F120M2 TO-247PLUS DGC75F120M2 TO-247PLUS 1200v 75a _DataSheet-v1.2.pdf
12A 60V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60V 12a Enhed D12N06 Specifikation (TO-252B) .pdf
40A 1200V Trenchstop Isoleret gate Bipolar transistor G40N120D TO-247 G40N120D TO-247 1200v 40a G40N120D - datablad.pdf
60A 650V Isoleret gate Bipolar transistor G60T65D TO-3PN DHG60T65D TO-3PN 650V 60a Enhed DHG60T65D Specifikation (TO-3PN) Rev1.2.pdf
175A 80V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80V 175a DHS035N88 & DHS035N88E & DHS035N88I_DATASHET_V2.0.PDF
15A 40V P-kanal Forbedringstilstand Power Mosfet AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40v -30a AOD413 & AOB413-B2E_DATASHET_V1.0.PDF
80A 40V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DH045N04P DFN5X6-pakke Dh045n04p DFN5X6 40V 80a Enhed DH045N04P Specifikation (1) .pdf
36A 1200V N-kanal SIC POWER MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A TO-247 1200v 36a Enhed DCC080M120A Specifikation.pdf
SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
54A 30V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DH060N03R DFN3 × 3-8L Dh060n03r DFN3X3 30V 54a Enhed DH060N03R Specifikation.pdf
N-kanalforbedringstilstand Power MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B Dh060n07b TO-251B 68v 100a Enhed DH060N07D Specifikation.pdf
90A 80V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90a Enhed DHD80N08 Specifikation.pdf
18A 100V P-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DH100P18D TO-252B Dh100p18d TO-252B 100v 18a Enhed DH100P18 B79 Specifikation.pdf
NPN Epitaxial Silicon Transistor 2SD882 TO-126 2.SD882 To-126 40V 3a 英文版 D882 技术规格书 .pdf
96A 30V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DH030N03P DFN5X6 Dh030n03p DFN5X6-8L 30V 96a Enhed DH030N03P Specifikation.pdf
17A 650V N-kanals superkryds strøm MOSFET DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650V 17a Enhed DHSJ17N65 Specifikation.pdf
7.6A 650V N-kanal Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650V 7.6A Dhfsj8n65_datesheet_v1.0.pdf

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilmeld dig vores nyhedsbrev
  • Gør dig klar til den fremtidige
    tilmelding til vores nyhedsbrev for at få opdateringer direkte til din indbakke
    Indsende
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology af leadong.com