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130 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40V 130A Gerätespezifikation DH025N04.pdf
140 A 30 V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
25A 1200V Trenchstop Bipolartransistor mit isoliertem Gate DGC25H120M2 TO-247 DGC25H120M2 TO-247 1200V 25A
40 A 60 V P-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60V 40A Gerätespezifikation DH400P06.pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 100 A 68 V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Gerätespezifikation DH060N07D.pdf
10A 500V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F10N50 TO-220F F10N50 TO-220F 500V 10A 英文版F10N50术规格书(1).pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 120 A 85 V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85V 120A Gerätespezifikation DHS045N88-Rev.1.0.pdf
180 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60V 180A  DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
20A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 20N65D TO-3P 20N65D TO-3PN 650V 20A 英文版20N65D术规格书REV1.0.pdf
10A 45V SchottkyBarrierDiode MBR1045CT TO-252 MBR1045CT TO-252B 45V 10A Weitere Informationen zur MBR1045CT-Serie finden Sie hier.pdf
8A 600V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 8N60 TO-220C 8N60 TO-220C 600V 8A 英文版8N60技术规格书.pdf
-50A -40V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH160P04D TO-252B DH160P04D TO-252B -40V -50A DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
10A 100V SchottkyBarrierDiode MBR10100CT TO-220M MBR10100CT TO-220M 100V 10A Weitere Informationen finden Sie unter MBR10100CT.pdf
4A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET B4N65 TO-251 B4N65 TO-251 650V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
8A 500V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 8N50 TO-220C 8N50 TO-220C 500V 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
9A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 TO-252B 650V 9A 英文版D9N65术规格书(1).pdf
100 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40V 100A DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
120 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100V 120A Gerätespezifikation DH10H037R.pdf
120 A 98 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 TO-220C 98V 120A Gerätespezifikation DHS046N10.pdf
112 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68V 112A DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf

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