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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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-140A -60V P-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA To-220c -60V -140a Gerät+DTG050P06LA+Spezifikation+Rev.1.0.pdf
170a 40V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04p DFN5*6-8 40V 170a Gerät DHS020N04P -Spezifikation Rev.2.0.pdf
180A 100V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA To-263 100V 180a Gerät+DSE026N10NA & DSG028N10NA+Spezifikation+Rev.1.0.pdf
75A 1200V Trenchstop Isoliertes Gate Bipolar Transistor DGC75F120M2 bis-247Plus DGC75F120M2 To-247plus 1200V 75a _datasheet-v1.2.pdf
12A 60V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET D12N06 bis-252 D12N06 To-252b 60 V 12a Geräte D12N06-Spezifikation (to-252b) .pdf
40A 1200V Trenchstop Isoliertes Gate Bipolar Transistor G40N120D bis-247 G40N120D To-247 1200V 40a G40N120D - Datasheet.pdf
60A 650 V Isoliertes Gate Bipolar Transistor G60T65D TO-3PN DHG60T65D To-3pn 650 V 60a Gerät DHG60T65D-Spezifikation (TO-3PN) Rev1.2.pdf
175A 80V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 To-220c 80V 175a DHS035N88 & DHS035N88E & DHS035N88I_DATASEET_V2.0.PDF
15A 40V P-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET AOD413 bis 252B AOD413 To-252b -40V -30a AOD413 & AOB413-B2E_DATASEET_V1.0.PDF
80A 40V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DH045N04P DFN5X6 PAKET DH045N04p DFN5X6 40V 80a Gerät DH045N04P -Spezifikation (1) .pdf
36A 1200V N-Kanal SIC Power MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A To-247 1200V 36a Geräte DCC080M120A Spezifikation.pdf
 SIC Schottky Barrier Diode 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
54A 30V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DH060N03R DFN3 × 3-8L DH060N03R Dfn3x3 30V 54a Gerät DH060N03R Spezifikation.pdf
 N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B To-251b 68 V 100a Gerät DH060N07D -Spezifikation.pdf
90A 80V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DHD80N08 bis 252B DHD80N08 To-252b 80V 90a Gerät DHD80N08 Spezifikation.pdf
18A 100V P-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH100P18D bis 252B DH100P18D To-252b 100V 18a Gerät DH100P18 B79 Spezifikation.pdf
NPN epitaxiale Siliziumtransistor 2SD882 TO-126 2SD882 To-126 40V 3a 英文版 D882 技术规格书 .pdf
96A 30V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5X6-8L 30V 96a Gerät DH030N03P -Spezifikation.pdf
17A 650V N-Kanal Super Junction Power MOSFET DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 To-220c 650 V 17a Gerät DHSJ17N65 Spezifikation.pdf
7.6a 650 V N-Kanal Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 To-220f 650 V 7.6a Dhfsj8n65_datesheet_v1.0.pdf

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