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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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-140A -60V Mode d'amélioration du canal P Power MOSFET DTG050P06LA TO-220C Dtg050p06la À 220c -60v -140a Appareil + DTG050P06LA + Spécification + Rev.1.0.pdf
170a 40V Mode d'amélioration du canal N MOSFET MOSFET DHS020N04P DFN5 * 6 DHS020N04P Dfn5 * 6-8 40V 170a SPÉCIFICATION DHS020N04P REV.2.0.pdf
180a 100v Mode d'amélioration du canal N Power MOSFET DSE026N10NA TO-263 Dse026n10na À 263 100V 180a Appareil + DSE026N10NA & DSG028N10NA + Spécification + Rev.1.0.pdf
75A 1200V TRENCHSTOP ISLULER GATE BIPOLOR TRANSISTOR DGC75F120M2 TO-247PLUS DGC75F120M2 À 247plus 1200 V 75a _datasheet-v1.2.pdf
12A 60V Mode d'amélioration des canaux N MOSFET D12N06 à-252 D12N06 À 252b 60V 12A Spécification D12N06 de l'appareil (à-252b) .pdf
40A 1200V TRENCHSTOP ISLULER GATE BIPOLORS TRANSISTOR G40N120D TO-247 G40N120D À 247 1200 V 40a G40N120D - Datasheet.pdf
650v 650V TRANSISTOR BIPOLOLAIRE ISOLÉE G60T65D TO-3PN DHG60T65D To-3pn 650V 60A Spécification DHG60T65D de l'appareil (TO-3PN) REV1.2.pdf
175a 80v Mode d'amélioration du canal N Power MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 À 220c 80V 175a Dhs035n88 & dhs035n88e & dhs035n88i_datasheet_v2.0.pdf
15A 40V Mode d'amélioration du canal P MOSFET MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 À 252b -40v -30A AOD413 et AOB413-B2E_DATASHEET_V1.0.pdf
Power MOSFET DH045N04P DFN5X6 MOSFET 80A 40A 40A. Dh045n04p Dfn5x6 40V 80A Spécification DH045N04P de l'appareil (1) .pdf
36A 1200V N-Channel Sic Power MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A À 247 1200 V 36A Appareil DCC080M120A Spécification.pdf
 SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE 5A 1200V DCGT05D120G3 Dcgt05d120g3
54A Mode d'amélioration du canal N 30V MOSFET MOSFET DH060N03R DFN3 × 3-8L DH060N03R Dfn3x3 30V 54a Appareil DH060N03R Spécification.pdf
 Mode d'amélioration du canal N MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B À 251b 68v 100A Dispositif DH060N07D Spécification.pdf
Mode d'amélioration du canal N 90a 80V Power MOSFET DHD80N08 à-252B DHD80N08 À 252b 80V 90a Dispositif DHD80N08 Spécification.pdf
18a 100v Mode d'amélioration des canaux P MOSFET MOSFET DH100P18D TO-252B DH100p18d À 252b 100V 18a Dispositif DH100P18 B79 Spécification.pdf
NPN Transistor de silicium épitaxial 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40V 3A 英文版 D882 技术规格书 .pdf
96a 30V Mode d'amélioration du canal N MOSFET MOSFET DH030N03P DFN5X6 Dh030n03p Dfn5x6-8l 30V 96a Dispositif dh030n03p spécification.pdf
17A 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 À 220c 650V 17A Dispositif dhsj17n65 spécification.pdf
7.6A 650V N-canal Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 À 220f 650V 7.6a Dhfsj8n65_datesheet_v1.0.pdf

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