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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 112A 68V DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68V 112A Donghai_DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
 MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500V 4A Description du produit DH4N150B.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 63 A 60 V DH132N06/DH132N06F/DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal P 140 A 30 V DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
Diode barrière Schottky SiC 6A 650V DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A Donghai_DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 12A 100V DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100V 12A Spécifications de l'appareil DH1K1N10.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 80A 75V D7509 TO-220C D7509 TO-220C 75V 80A Spécification de l'appareil D7509.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80V 180A Spécification de l'appareil DH8004 (2).pdf
Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 60A 650V DGC60F65M TO-247 DGC60F65M TO-247 650V 60A DGC60F65M__fiche technique-12.26.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 19A 80V DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80V 19A Spécifications de l'appareil DH300N08.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 61A 60V DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60V 61A Spécification de l'appareil DH16N06.pdf
-30A -60V Mode d'amélioration du canal P MOSFET de puissance DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30A Donghai_DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 240A, 100V, DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100V 240A Spécification de l'appareil DHS025N10.pdf
30A 45V FAIBLE VF SchottkyBarrierDiode MBR30R45CTS TO-220C MBR30R45CTS TO-220C 45V 30A Description de la série MBR30R45CTS.pdf
Diode de récupération rapide 16A 400V MUR1640CT TO-220M MUR1640CT TO-220M 400V 16A Description du produitMUR1640CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de puissance F7N70 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N 7A 700V F7N70 TO-220F 700V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
MOSFET de puissance, Mode d'amélioration du canal N, 120A, 80V, DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C et TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80V 120A Donghai_DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
Diode SchottkyBarrier 20A 100V MBRA20100CT TO-220M MBRA20100CT
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 300A 40V DHS010N04U DHS010N04U SONNER 40V 300A Donghai_DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance SIC canal N 36A 1200V DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A TO-247 1200V 36A Spécifications de l'appareil DCC080M120A.pdf

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