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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 63 A 60 V DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
Transistor epitassiale al silicio NPN 13003G5 TO-126 13003G5
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 140 A 30 V DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
Diodo barriera Schottky SiC 6A 650V DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650 V 6A DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 12 A 100 V DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100 V 12A Specifiche del dispositivo DH1K1N10.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 75 V D7509 TO-220C D7509 TO-220C 75 V 80A Specifiche del dispositivo D7509.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80 V 180A Specifiche del dispositivo DH8004 (2).pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 60A 650V DGC60F65M TO-247 DGC60F65M TO-247 650 V 60A _datasheet-12.26.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 19 A 80 V DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80 V 19A Dispositivo DH300N08 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N 61A 60V DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60 V 61A Dispositivo DH16N06 Specifiche.pdf
-30A -60V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30A DH400P06LD&DH400P06LB_Scheda dati_V2.0.pdf
MOSFET di potenza DHS025N10 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 240 A 100 V DHS025N10 TO-220C 100 V 240A Specifiche del dispositivo DHS025N10.pdf
Diodo a recupero rapido 16A 400V MUR1640CT TO-220M MUR1640CT TO-220M 400 V 16A 英文版MUR1640CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza F7N70 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 7 A 700 V F7N70 TO-220F 700 V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 80 V DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C e TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80 V 120A DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo barriera Schottky da 20 A 100 V MBRA20100CT TO-220M MBRA20100CT
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500 V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
PACCHETTO PEDAGGIO MOSFET di potenza DHS010N04U in modalità potenziamento canale N da 300 A 40 V DHS010N04U PEDAGGIO 40 V 300A DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N 36A 1200V DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A TO-247 1200 V 36A Specifiche del dispositivo DCC080M120A.pdf
MOSFET di potenza N6005/FN6005/EN6005 in modalità potenziata a canale N da 210 A 60 V N6005 TO-220C 60 V 180A Specifiche del dispositivo N6005B40.pdf

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