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12A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D PARA-252B 100 V 12A Especificação do dispositivo DH850N10D (1).pdf
0.8A 600V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600 V 0,8A
500V/5A Meia Ponte IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF POP-11 500 V 5A DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
310A 20V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 PARA-220C 20V 310A Especificação do dispositivo DH009N02.pdf
Diodo de recuperação rápida 60A 300V MUR6030NCA TO-3PN MUR6030NCA TO-3PN 300V 60A 英文版 MUR6030NCA 技术规格书.pdf
60A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D PARA-252B 30V 60A Especificação do dispositivo DH081N03.pdf
Módulo IGBTModule DGB450H120L2T 62mm da meia ponte de 450A 1200V DGB450H120L2T 62mm 1200 V 450A DGB450H120L2T-REV1.1.pdf
30A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH081N03R DFN3 * 3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Especificação do dispositivo DH081N03R.pdf
25A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 PARA-220C 30V 150A Especificação do dispositivo DH025N03.pdf
120A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH025N03P DFN5 * 6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Especificação do dispositivo DH025N03P(1)(1).pdf
60A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH105N07P DFN5 * 6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70 V 56A DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf
Série TRIAC 600V/800V 4A BT134-600E TO-126 BT134-600E PARA-126 600V/800V 4A 英文版BT134-126技术规格书.pdf
30A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 PARA-252B 60V 30A Especificação do dispositivo DHZ24B31.pdf
10A 400V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F740 TO-220F F740 TO-220F 400 V 10A Especificação do dispositivo 740.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-252 MBR20100CT PARA-252 100 V 20A 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
320A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D PARA-252B 30V 320A Especificação do dispositivo DH012N03.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D PARA-252B 40V 180A Especificação do dispositivo DHS020N04D.pdf
320A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 PARA-220C 30V 320A Especificação do dispositivo DH012N03.pdf
-30A -60V Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D PARA-252B -60V -30A Especificação do dispositivo DH300P06.pdf
35A 120V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 PARA-252B 120V 35A Dispositivo+DSD270N12N3+Especificação+Rev.1.0.pdf

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