未命名 (1) (8) (1)
kapija
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nalazite se ovdje: Dom » Proizvodi
Model:
Paket:
V:
A:
ODABRANE LINIJE PROIZVODA:

Svi proizvodi

Slika Model Paket V A Datasheet Detalji Upit Dodaj u košaricu
63A 60V N-kanalni način poboljšanja Power MOSFET DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
Epitaksijalni silicijski tranzistor NPN 13003G5 TO-126 13003G5
140A 30V P-kanalni mod poboljšanja Power MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
6A 650V SiC Schottky barijerna dioda DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A DCGT06D65G4_Podatkovna tablica_V1.0.pdf
12A 100V N-kanalni mod poboljšanja snage MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100V 12A Uređaj DH1K1N10 Specifikacija.pdf
80A 75V N-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET D7509 TO-220C D7509 TO-220C 75V 80A Uređaj D7509 Specifikacija.pdf
N-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80V 180A Specifikacija uređaja DH8004 (2).pdf
60A 650V bipolarni tranzistor s izoliranim vratima za zaustavljanje rova ​​DGC60F65M TO-247 DGC60F65M TO-247 650V 60A _podatkovna tablica-12.26.pdf
19A 80V N-kanalni mod poboljšanja snage MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80V 19A Uređaj DH300N08 Specifikacija.pdf
61A 60V N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60V 61A Uređaj DH16N06 Specifikacija.pdf
-30A -60V P-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60 V -30A DH400P06LD&DH400P06LB_Podatkovna tablica_V2.0.pdf
240A 100V N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100V 240A Uređaj DHS025N10 Specifikacija.pdf
16A 400V Dioda za brzi oporavak MUR1640CT TO-220M MUR1640CT TO-220M 400V 16A 英文版MUR1640CT技术规格书REV1.0.pdf
7A 700V N-kanalni mod poboljšanja snage MOSFET F7N70 TO-220F F7N70 TO-220F 700V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
120A 80V N-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C &TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80V 120A DSG047N08N3&DSE047N08N3_Podatkovna tablica_V1.0.pdf
20A 100V Schottky BarrierDiode MBRA20100CT TO-220M MBRA20100CT
N-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
300A 40V N-kanalni mod poboljšanja Power MOSFET DHS010N04U PAKET CESTARINE DHS010N04U CESTARINA 40V 300A DHS010N04U_Podatkovna tablica_V1.0.pdf
36A 1200V N-kanalni SIC Power MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A TO-247 1200V 36A Specifikacija uređaja DCC080M120A.pdf
210A 60V N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60V 180A Uređaj N6005B40 Specifikacija.pdf

Video o proizvodu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naš newsletter
  • pripremite se za budućnost,
    prijavite se za naš bilten kako biste primali ažuriranja izravno u svoju pristiglu poštu
    Pošalji
Autorsko pravo © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com