未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
63A 60V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
Epitaxný silikónový tranzistor NPN 13003G5 TO-126 13003G5
140A 30V P-kanál v režime vylepšenia výkonového MOSFETu DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
6A 650V SiC Schottkyho bariérová dióda DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650 V 6A DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
12A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100 V 12A Špecifikácia zariadenia DH1K1N10.pdf
80A 75V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D7509 TO-220C D7509 TO-220C 75V 80A Špecifikácia zariadenia D7509.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80 V 180A Špecifikácia zariadenia DH8004 (2).pdf
60A 650V Trenchstop Izolovaná brána Bipolárny tranzistor DGC60F65M TO-247 DGC60F65M TO-247 650 V 60A _datasheet-12.26.pdf
19A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80 V 19A Zariadenie DH300N08 Špecifikácia.pdf
61A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60 V 61A Zariadenie DH16N06 Špecifikácia.pdf
-30A -60V P-channel Mode Enhancement Mode Power MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60 V -30A DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
240A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100 V 240A Špecifikácia zariadenia DHS025N10.pdf
16A 400V Dióda rýchlej obnovy MUR1640CT TO-220M MUR1640CT TO-220 mil 400 V 16A 英文版MUR1640CT技术规格书REV1.0.pdf
7A 700V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F7N70 TO-220F F7N70 TO-220F 700 V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
120A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C &TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80 V 120A DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBRA20100CT TO-220M MBRA20100CT
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
300A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS010N04U MÝTANÝ BALÍK DHS010N04U TOLL 40 V 300A DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
36A 1200V N-kanálový SIC napájací MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A TO-247 1200V 36A Špecifikácia zariadenia DCC080M120A.pdf
210A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60 V 180A Špecifikácia zariadenia N6005B40.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com