未命名(1)(8) (1)
ประตู
มณฑลเจียงซูตงไห่เซมิคอนดักเตอร์บจก
คุณอยู่ที่นี่: บ้าน » ผลิตภัณฑ์
แบบอย่าง:
บรรจุุภัณฑ์:
วี:
ตอบ:
สายผลิตภัณฑ์ที่เลือก:

สินค้าทั้งหมด

รูปภาพ โมเดล แพ็คเกจ V เอกสาร รายละเอียด ข้อมูล สอบถาม เพิ่มลงตะกร้า
130A 40V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40V 130A ข้อมูลจำเพาะของอุปกรณ์ DH025N04.pdf
140A 30V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
25A 1200V Trenchstop ฉนวนเกตไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ DGC25H120M2 TO-247 DGC25H120M2 ถึง-247 1200V 25เอ
40A 60V P-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60V 40เอ ข้อมูลจำเพาะของอุปกรณ์ DH400P06.pdf
โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel กระแสไฟ MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A ข้อมูลจำเพาะของอุปกรณ์ DH060N07D.pdf
10A 500V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET F10N50 TO-220F F10N50 TO-220F 500V 10เอ ภาษาอังกฤษF10N50技术规格书(1).pdf
โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel กระแสไฟ MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85V 120A ข้อมูลจำเพาะของอุปกรณ์ DHS045N88-Rev.1.0.pdf
180A 60V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E ถึง-263 60V 180A  DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
20A 650V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET 20N65D TO-3P 20N65D TO-3PN 650V 20เอ ภาษาอังกฤษ版20N65D技术规格书REV1.0.pdf
10A 45V ชอทกี้บาร์ริเออร์ไดโอด MBR1045CT TO-252 MBR1045CT TO-252B 45V 10เอ 英文版MBR1045CT series技术规格书.pdf
8A 600V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET 8N60 TO-220C 8N60 TO-220C 600V 8เอ ภาษาอังกฤษ8N60技术规格书.pdf
-50A -40V โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-channel MOSFET DH160P04D TO-252B DH160P04D TO-252B -40V -50A DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
10A 100V ชอทกี้บาร์ริเออร์ไดโอด MBR10100CT TO-220M MBR10100CT TO-220M 100V 10เอ ภาษาอังกฤษ版MBR10100CT技术规格书.pdf
4A 650V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET B4N65 TO-251 B4N65 ถึง-251 650V 4เอ ภาษาอังกฤษB4N65X技术规格书X(1).pdf
8A 500V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET 8N50 TO-220C 8N50 TO-220C 500V 8เอ ภาษาอังกฤษ8N50技术规格书.pdf
9A 650V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 TO-252B 650V 9เอ 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
100A 40V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40V 100A DHS008N04P_เอกสารข้อมูล_V1.0.pdf
120A 100V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100V 120A ข้อมูลจำเพาะของอุปกรณ์ DH10H037R.pdf
120A 98V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 TO-220C 98V 120A ข้อมูลจำเพาะของอุปกรณ์ DHS046N10.pdf
112A 68V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68V 112เอ DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf

วิดีโอผลิตภัณฑ์

  • มณฑลเจียงซูตงไห่เซมิคอนดักเตอร์บจก
  • ลงทะเบียนเพื่อรับจดหมายข่าวของเรา
  • เตรียมพร้อมสำหรับอนาคต
    สมัครรับจดหมายข่าวของเราเพื่อรับข้อมูลอัปเดตตรงถึงกล่องจดหมายของคุณ
    ส่ง
ลิขสิทธิ์© 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd เทคโนโลยีโดย leadong.com