未命名(1)(8) (1)
ประตู
มณฑลเจียงซูตงไห่เซมิคอนดักเตอร์บจก
คุณอยู่ที่นี่: บ้าน » ผลิตภัณฑ์
แบบอย่าง:
บรรจุุภัณฑ์:
วี:
ตอบ:
สายผลิตภัณฑ์ที่เลือก:

สินค้าทั้งหมด

รูปภาพ โมเดล แพ็คเกจ V เอกสาร รายละเอียด ข้อมูล สอบถาม เพิ่มลงตะกร้า
DSG031N10N3 TO-220C ดีเอสจี031N10N3
DSE022N10N3 TO-263 DSE022N10N3
105A 40V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40V 130A ข้อมูลจำเพาะของอุปกรณ์ DH025N04.pdf
20A 200V ต่ำ VF Schottky Barrier Diode MBRF20R200CT TO-220F MBRF20R200CT TO-220F 200V 20เอ ภาษาอังกฤษ版MBR20R200CT技术规格书.pdf
25A 100V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100V 25เอ อุปกรณ์+DHS250N10D+ข้อมูลจำเพาะ+Rev1.0.pdf
90A 80V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90เอ ข้อมูลจำเพาะของอุปกรณ์ DHD80N08.pdf
-30A -100V โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-channel MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C TO-220C -100V -30A ข้อมูลจำเพาะของอุปกรณ์ DH100P30CB1Q.pdf
ทรานซิสเตอร์ซิลิคอนอีพิแอกเชียล NPN 2SD882 TO-126 2SD882 ถึง-126 40V 3เอ ภาษาอังกฤษ版D882技术规格书.pdf
80A 400V ไดโอดฟื้นตัวเร็ว MUR80FU40NCT TO-3PN MUR80FU40NCT TO-3PN 400V 80เอ 英文版 MUR80FU40NCT技术规格书REV1.3.pdf
60A 200V ไดโอดแบริเออร์ MBR60200CT TO-220C MBR60200CT TO-220C 200V 60เอ ภาษาอังกฤษ版MBR60200CT技术规格书.pdf
18A 1200V N-channel SIC เพาเวอร์ MOSFET DCC160M120G1 TO-247-3L DCC160M120G1 ถึง-247 1200V 18เอ DCC160M120G1&DCCF160M120G1_Datasheet_V1.0.pdf
10A 400V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET 740 TO-220C 740 TO-220C 400V 10เอ ข้อมูลจำเพาะของอุปกรณ์ 740.pdf
100A 40V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40V 100A เอกสารข้อมูล Donghai DHS021N04P V3.0.pdf
120A 80V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DSG053N08N3 ดีเอสจี053N08N3 TO-220C 80V 120A DSG053N08N3&DSE051N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
20mΩ 650V N-channel SiC พาวเวอร์ MOSFET DCCF020M65G2 DCCF020M65G2 TO-247-4L 650V 92เอ DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
170A 100V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 TO-220C 100V 170เอ DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
140A 150V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA TO-220C 150V 140A  DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
30A 600V ไดโอดฟื้นตัวเร็ว MUR3060NCT TO-3PN MUR3060NCT TO-3PN 600V 30เอ ภาษาอังกฤษ版MUR3060NCT技术规格书REV1.0.pdf
30mΩ 1200V N-channel SiC เพาเวอร์ MOSFET DCC030M120G2 TO-247-3L DCC030M120G2 ถึง-247 1200V 68เอ DCC030M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
5A 1700V N-channel SIC เพาเวอร์ MOSFET DCCF1K0M170G1 TO-247-4L DCCF1K0M170G1

วิดีโอผลิตภัณฑ์

  • มณฑลเจียงซูตงไห่เซมิคอนดักเตอร์บจก
  • ลงทะเบียนเพื่อรับจดหมายข่าวของเรา
  • เตรียมพร้อมสำหรับอนาคต
    สมัครรับจดหมายข่าวของเราเพื่อรับข้อมูลอัปเดตตรงถึงกล่องจดหมายของคุณ
    ส่ง
ลิขสิทธิ์© 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd เทคโนโลยีโดย leadong.com