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DSG031N10N3 TO-220C DSG031N10N3
DSE022N10N3 TO-263 DSE022N10N3
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 105 A 40 V DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40 V 130A Dispositivo DH025N04 Specifiche.pdf
Diodo barriera Schottky 20A 200V BASSO VF MBRF20R200CT TO-220F MBRF20R200CT TO-220F 200 V 20A 英文版MBR20R200CT技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHS250N10D TO-252B in modalità potenziamento canale N da 25 A 100 V DHS250N10D TO-252B 100 V 25A Dispositivo+DHS250N10D+Specifica+Rev1.0.pdf
MOSFET di potenza DHD80N08 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 90 A 80 V DHD80N08 TO-252B 80 V 90A Specifiche del dispositivo DHD80N08.pdf
-30A -100V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DH100P30C TO-220C DH100P30C TO-220C -100 V -30A Specifiche del dispositi082e55a73f104966=E-mail
Transistor epitassiale al silicio NPN 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40 V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
Diodo a recupero rapido 80A 400V MUR80FU40NCT TO-3PN MUR80FU40NCT TO-3PN 400 V 80A 英文版 MUR80FU40NCT技术规格书REV1.3.pdf
Diodo barriera Schottky 60A 200V MBR60200CT TO-220C MBR60200CT TO-220C 200 V 60A 英文版MBR60200CT技术规格书.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N 18A 1200V DCC160M120G1 TO-247-3L DCC160M120G1 TO-247 1200 V 18A DCC160M120G1&DCCF160M120G1_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza 740 TO-220C in modalità potenziata a canale N da 10 A 400 V 740 TO-220C 400 V 10A Specifiche del dispositivo 740.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 40 V DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40 V 100A Donghai DHS021N04P Scheda tecnica V3.0.pdf
MOSFET di potenza DSG053N08N3 in modalità potenziamento canale N da 120 A 80 V DSG053N08N3 TO-220C 80 V 120A DSG053N08N3&DSE051N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 20 mΩ 650 V DCCF020M65G2 DCCF020M65G2 TO-247-4L 650 V 92A DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza DSG030N10N3 TO-220C con modalità di potenziamento a canale N da 170 A 100 V DSG030N10N3 TO-220C 100 V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza DSG070N15NA TO-220C con modalità di potenziamento a canale N da 140 A 150 V DSG070N15NA TO-220C 150 V 140A  DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 30A 600V MUR3060NCT TO-3PN MUR3060NCT TO-3PN 600 V 30A 英文版MUR3060NCT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 30 mΩ 1200 V DCC030M120G2 TO-247-3L DCC030M120G2 TO-247 1200 V 68A DCC030M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N 5A 1700 V DCCF1K0M170G1 TO-247-4L DCCF1K0M170G1

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