MOSFET di potenza SiC a canale N da 20 mΩ 650 V DCCF020M65G2 TO-247-4L

MOSFET di potenza SiC a canale N da 20 mΩ 650 V

1 Descrizione 

Questa famiglia di prodotti offre prestazioni all'avanguardia. È progettato per applicazioni ad alta frequenza dove sono richieste alta efficienza e alta affidabilità. 

2 Caratteristiche 

● Maggiore efficienza del sistema

● Requisiti di raffreddamento ridotti

● Maggiore densità di potenza

● Maggiore frequenza di commutazione del sistema

3 applicazioni 

● Alimentatori. 

● Convertitori CC/CC ad alta tensione.

● Azionamenti a motore. 

● Alimentatori a commutazione 

● Applicazioni di potenza pulsata 

VDSS	RDS(acceso)(TIPO)	ID
650 V	20 mΩ	92A