brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » SIC » 650 V-3300 V SIC MOS » 20mΩ 650V N-kanałowy MOSFET SiC Power DCCF020M65G2 TO-247-4L

załadunek

Udostępnij:
przycisk udostępniania na Facebooku
przycisk udostępniania na Twitterze
przycisk udostępniania linii
przycisk udostępniania wechata
przycisk udostępniania na LinkedIn
przycisk udostępniania na Pintereście
przycisk udostępniania WhatsApp
udostępnij ten przycisk udostępniania

20mΩ 650V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCCF020M65G2 TO-247-4L

Ta rodzina produktów oferuje najnowocześniejszą wydajność. Jest przeznaczony do zastosowań o wysokiej częstotliwości, gdzie wymagana jest wysoka wydajność i niezawodność.
Dostępność:
Ilość:

20mΩ 650V N-kanałowy MOSFET mocy SiC


1 Opis 

Ta rodzina produktów oferuje najnowocześniejszą wydajność. Jest przeznaczony do zastosowań o wysokiej częstotliwości, gdzie wymagana jest wysoka wydajność i niezawodność. 


2 funkcje 

● Wyższa wydajność systemu

● Zmniejszone wymagania dotyczące chłodzenia

● Zwiększona gęstość mocy

● Zwiększona częstotliwość przełączania systemu


3 aplikacje 

● Zasilacze. 

● Przetwornice wysokiego napięcia DC/DC.

● Napędy silnikowe. 

● Zasilacze impulsowe 

● Zastosowania mocy impulsowej 


VDSS RDS(wł.)(TYP) ID
650 V 20 mΩ 92A


Poprzedni: 
Następny: 
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą