tillgänglighet: | |
---|---|
Kvantitet: | |
20n65d
Wxdh
Till-3pn
650V
20a
20A 650V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET
1 Beskrivning
Dessa N-kanal förbättrade VDMOSFET: er erhålls av den självjusterade plana tekniken som minskar ledningsförlusten, förbättrar växlingsprestanda och förbättrar lavinenergin. Som överensstämmer med ROHS -standarden.
2 funktioner
● Snabbbrytning
● ESD förbättrad förmåga
● Låg motstånd (RDSON≤0,50Ω)
● Låg grindavgift (typ: 58nc)
● Låg omvänd överföringskapacitanser (typ: 20pf)
● 100% enkelpuls snöskredsenergitest
● 100% ΔVDS -test
3 applikationer
● Används i olika strömbrytarkrets för systemminiatyrisering och högre effektivitet.
● Strömbrytare för elektronballast och adapter.
Vds | RDS (på) (typ) | Id |
650V | 0,4Ω | 20a |
20A 650V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET
1 Beskrivning
Dessa N-kanal förbättrade VDMOSFET: er erhålls av den självjusterade plana tekniken som minskar ledningsförlusten, förbättrar växlingsprestanda och förbättrar lavinenergin. Som överensstämmer med ROHS -standarden.
2 funktioner
● Snabbbrytning
● ESD förbättrad förmåga
● Låg motstånd (RDSON≤0,50Ω)
● Låg grindavgift (typ: 58nc)
● Låg omvänd överföringskapacitanser (typ: 20pf)
● 100% enkelpuls snöskredsenergitest
● 100% ΔVDS -test
3 applikationer
● Används i olika strömbrytarkrets för systemminiatyrisering och högre effektivitet.
● Strömbrytare för elektronballast och adapter.
Vds | RDS (på) (typ) | Id |
650V | 0,4Ω | 20a |