Elérhetőség: | |
---|---|
Mennyiség: | |
20n65d
WXDH
3PN
650 V -os
20a
20a 650 V N-csatornás javítási mód Power MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (RDSON≤0,50Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 58NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TYP: 20PF)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (on) (typ) | Személyazonosság |
650 V -os | 0,4Ω | 20a |
20a 650 V N-csatornás javítási mód Power MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (RDSON≤0,50Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 58NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TYP: 20PF)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (on) (typ) | Személyazonosság |
650 V -os | 0,4Ω | 20a |