Razpoložljivost: | |
---|---|
Količina: | |
20N65D
WXDH
Do-3pn
650V
20a
20A 650V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET
1 opis
Te N-kanale, izboljšane VDMOSFET-je, dobimo s samovredno planarno tehnologijo, ki zmanjšuje izgubo prevodnosti, izboljšuje zmogljivost preklopa in izboljšuje energijo plazov. Ki ustreza standardu ROHS.
2 značilnosti
● Hitro preklapljanje
● ESD izboljšana sposobnost
● Nizko odpornost (rdson≤0,50Ω)
● Nizka naboj vrat (Typ: 58NC)
● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom (Typ: 20PF)
● 100% enojni preskus energije z enim impulzom
● 100% ΔVDS test
3 aplikacije
● Uporablja se v različnih preklopnih vezjih za sistemsko miniaturizacijo in večjo učinkovitost.
● Vklopno stikalo elektronskega balasta in adapterja.
VDS | Rds (on) (typ) | Id |
650V | 0,4Ω | 20a |
20A 650V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET
1 opis
Te N-kanale, izboljšane VDMOSFET-je, dobimo s samovredno planarno tehnologijo, ki zmanjšuje izgubo prevodnosti, izboljšuje zmogljivost preklopa in izboljšuje energijo plazov. Ki ustreza standardu ROHS.
2 značilnosti
● Hitro preklapljanje
● ESD izboljšana sposobnost
● Nizko odpornost (rdson≤0,50Ω)
● Nizka naboj vrat (Typ: 58NC)
● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom (Typ: 20PF)
● 100% enojni preskus energije z enim impulzom
● 100% ΔVDS test
3 aplikacije
● Uporablja se v različnih preklopnih vezjih za sistemsko miniaturizacijo in večjo učinkovitost.
● Vklopno stikalo elektronskega balasta in adapterja.
VDS | Rds (on) (typ) | Id |
650V | 0,4Ω | 20a |