қол жетімділігі: | |
---|---|
саны: | |
20N65D
Wxdh
-3pn дейін
650в
20А
20А 650V N каналды басқару режимі Power MOSFET
1 сипаттама
N-Channel Кеңейтілген VDMossfets, оны өткізген «Өткізілетін шығындарды азайтып, коммутацияны жақсартатын және көшкін энергиясын жақсартатын өзіндік турникеттік технологиялар арқылы алынады. ROHS стандартымен қандай үйлеседі.
2 мүмкіндіктер
● Жылдам коммутатор
● ESD жетілдірілген мүмкіндігі
● төмен қарсылық (RDSON≤0.50ω)
● Төменгі қақпа заряды (TYP: 58NC)
● Кері аударымның төмен сыйымдылығы (TYP: 20pF)
● 100% жалғызбасты импульстің көшбасшысы
● 100% δDS тест
3 өтінім
● Жүйелік миниатюрация және жоғары тиімділік үшін әр түрлі қуатты коммутациялық тізбекте қолданылады.
● Электрон балластары мен адаптердің қуат қосқышы.
Vdss | RDS (қосу) (тип) | Куәлік |
650в | 0.4ω | 20А |
20А 650V N каналды басқару режимі Power MOSFET
1 сипаттама
N-Channel Кеңейтілген VDMossfets, оны өткізген «Өткізілетін шығындарды азайтып, коммутацияны жақсартатын және көшкін энергиясын жақсартатын өзіндік турникеттік технологиялар арқылы алынады. ROHS стандартымен қандай үйлеседі.
2 мүмкіндіктер
● Жылдам коммутатор
● ESD жетілдірілген мүмкіндігі
● төмен қарсылық (RDSON≤0.50ω)
● Төменгі қақпа заряды (TYP: 58NC)
● Кері аударымның төмен сыйымдылығы (TYP: 20pF)
● 100% жалғызбасты импульстің көшбасшысы
● 100% δDS тест
3 өтінім
● Жүйелік миниатюрация және жоғары тиімділік үшін әр түрлі қуатты коммутациялық тізбекте қолданылады.
● Электрон балластары мен адаптердің қуат қосқышы.
Vdss | RDS (қосу) (тип) | Куәлік |
650в | 0.4ω | 20А |