20A 650V N-kanals forbedringsmodus MOSFET 20N65D TO-3P

20A 650V N-kanals forbedringsmodus MOSFET

1 Beskrivelse

Disse N-kanals forbedrede VDMOSFET-er, oppnås av den selvjusterte plane teknologien som reduserer ledningstapet, forbedrer bytteytelsen og forbedrer snøskredenergien. Som stemmer overens med ROHS -standarden. 

2 funksjoner 

● Rask bytte 

● ESD forbedret muligheten 

● Lav på motstand (Rdson≤0,50Ω)

● Lav portladning (TYP: 58NC) 

● Lav omvendt overføringskapasitans (TYP: 20PF) 

● 100% enkeltpuls Avalanche Energy Test 

● 100% ΔVDS -test 

3 søknader 

● Brukes i forskjellige strømbryterkretser for systemminiatyrisering og høyere effektivitet.

● Strømbryterkrets for elektronballast og adapter.