20A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 20N65D TO-3P

20A 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MOSFET

1 توضیحات

این VDMOSFET های پیشرفته N- کانال ، توسط فناوری مسطح خود تراز شده که باعث کاهش از دست دادن هدایت ، بهبود عملکرد سوئیچینگ و افزایش انرژی بهمن می شود ، بدست می آید. که با استاندارد ROHS مطابقت دارد. 

2 ویژگی 

● سوئیچینگ سریع 

● ESD قابلیت بهبود یافته 

● کم مقاومت (Rdson≤0.50Ω)

legh شارژ پایین دروازه (تایپ: 58nc) 

● خازن انتقال معکوس پایین (تایپ: 20pf) 

● 100 ٪ تست انرژی بهمن پالس تک 

● 100 ٪ تست ΔVDS 

3 برنامه 

● در مدار مختلف سوئیچینگ برق برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود.

circuit مدار سوئیچ برق از بالاست و آداپتور الکترونی.