未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted
Mudel:
Pakett:
V:
V:
Valitud tooteliinid:

Kõik tooted

Pildimudeli ​ pakett v Andmelehe üksikasjade päring lisage korvi
200A 30 V N-kanali parendamise režiim MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30 V 200A Seade DH020N03 (B39) spetsifikatsioon.pdf
130A 40V N-kanali tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40 V 130A Seade DH025N04 spetsifikatsioon.pdf
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100 V 68a DH140N10B & DH140N10D_DATASHEET_V1.0.pdf
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4n70 TO-252B 700 V 4a 英文版 D4N70 技术规格书 .pdf
120A 80V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C & TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80 V 120A DSG047N08N3 & DSE047N08N3_DATASHEET_V1.0.pdf
130A 100 V N-kanali tugevdamise režiimi võimsus MOSFET DHS037N10/ DHS037N10F/ DHS037N10E
20a 650v N-kanali parendamise režiim Power Mosfet F20N65 TO-220F F20n65
80A 80 V N-kanali parendamisrežiim Power MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80 V 80A Seade DH80N08 B22 spetsifikatsioon.pdf
P-kanalite tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100 V 30A Seade DH100P30AD spetsifikatsioon.pdf
105A 40V N-kanali parendamisrežiim MOSFET DH025N04P DFN5X6 DH025N04P Dfn5*6-8 40 V 130A Seade DH025N04 spetsifikatsioon.pdf
300A 100 V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET DSU021N10na Toll Pakett DSU021N10na Teemaksu 100 V 300A Seade+DSU021N10NA+SPETIFICATION+REV.1.0.pdf
30a 200V kiire taastamise diood Mur3020dct Mur3020DCT To-3pn 200 V 30A 英文版 MUR3020DCT 技术规格书 Rev1.0.pdf
40A 60 V p-kanalite tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60 V 40A Seade DH400P06 spetsifikatsioon.pdf
Kiire taastamise diood 20a 400V Mur2040CT TO-220C MUR2040CT TO-220C 400 V 20a 英文版 MUR2040CT 技术规格书 (2) .pdf
30A 100V Schottky Barrier Diood MBRD30100CT TO-252B MBRD30100CT TO-252B 100 V 30A 英文版 MBRD30100CT 技术规格书 Rev1.0.pdf
-30a -100v p-kanalite tugevdamise režiim Power MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C TO-220C -100 V -30a SEADME DH100P30CB1Q SPECIFICATION.PDF
60A 300V Kiire taastamise diood Mur6030ncs to-3pn MUR6030NCS To-3pn 300 V 60A 英文版 MUR6030NCS 技术规格书 .pdf
10A 45V Schottky Barrier Diood MBRF1045CT TO-220F MBRF1045CT TO-220F 45 V 10A 英文版 MBR1045CT seeria 技术规格书 .pdf
110A 85V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 TO-220C 85 V 110A Seade DHS055N85 spetsifikatsioon.pdf
100 V/2MΩ/281A N-MOSFET Teele DSU023N10N3 Teemaksu 100 V 281a DSU023n10n3_Datasheet_V1.0.pdf

Tootevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti
    Alluma
Autoriõigus © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia Leadong.com