portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
10A 400V pikapalautusdiodi MURF1040CT TO-220F MURF1040CT TO-220F 400V 10A 英文版MUR1040CT技术规格书.pdf
 Pikapalautusdiodi 40A 600V MUR40FU60NCT TO-3PN MUR40FU60NCT TO-3PN 600V 40A 英文版MUR40FU60NCT-XAM技术规格书.pdf
20A 650V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET 20N65 TO-220C 20N65 -220C 650V 20A 英文版20N65技术规格书AA9.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 100V DSG028N10NA TO-220C DSG028N10NA -220C 100V 180A Laite+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specification+Rev.1.0.pdf
DGC60F65M
16 A 650 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET F16N65 F16N65 TO-220F 650V 16A 英文版F16N65技术规格书.pdf
60A 60V SchottkyBarrierDiode MBR6060CT TO-3PN MBR6060CT TO-3PN 60V 60A 英文版MBR6060CT(3P,3PN,247)技术规格书.pdf
90A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHD90N03 TO-252B DHD90N03 TO-252B 30V 90A Laite DH90N03 B17 Specification.pdf
7N80/F7N80/E7N80
N-kanavainen laajennustila Virta MOSFET 80A 60V D80N06 TO-252B 60V 80A Laite 80N06 Specification.pdf
8N50/F8N50/B8N50/D8N50
110A 100V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET D100N10/ektroniikasta ja
4A 650 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET B4N65 TO-251B B4N65 TO-251B 650V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
30A 600V pikapalautusdiodi MURF3060 TO-220-2L MURF3060
40A 600V pikapalautusdiodi MUR4060BCT TO-247 MUR4060BCT
65A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30V 65A Laitteen DH033N03R Specification.pdf
10N80/F10N80/E10N80
20A 60V LOW VF Schottky Barrier Diodi HMBRD20R60 TO-252B HMBRD20R60 TO-252B 60V 20A 英文版HMBRD20R60技术规格书TO-252B-REV-1.1.pdf
DHU3N90/DHD3N90
8A 500 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F8N50 TO-220F F8N50 TO-220F 500V 8A Donghai_F8N50_Datesheet_V1.0.pdf

Tuotevideo

  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi