未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
4A 1500 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH4N150F TO-3PF DH4N150F TO-3PF 1500V 4A 英文版DH4N150F技术规格书.pdf
60A 650V eristetty portti bipolaaritransistori G60T65D TO-3PN DHG60T65D TO-3PN 650V 60A Laitteen DHG60T65D tekniset tiedot (TO-3PN)Rev1.2.pdf
60A 68V N-kanavan lisäystila Virta MOSFET DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 -220C 60V 60A Laite DH60N06 Tekniset tiedot+.pdf
10A 800V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 TO-220F 800V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
12A 600V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F12N60 TO-220F F12N60 TO-220F 600V 12A 英文版F12N60技术规格书REV1.0(1).pdf
23A 500V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
4A 600 V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
50A 1200V puolisilta IGBT-moduuli DHG50N120D 34mm DHG50N120D 34 mm 1200V 50A DHG50N120D.pdf
7A 700 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 TO-252B 700V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf
5A 650 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET B5N65 TO-251B B5N65 TO-251B 650V 5A 英文版B5N65技术规格书MAX.pdf
75A 1200V puolisilta IGBT-moduuli DGA75H120M2T 34mm DGA75H120M2T 34 mm 1200V 75A DGA75H120M2T.pdf
20mΩ 650V N-kanavainen SiC Power MOSFET DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 TO-247 650V 92A DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 10A 650V 10N65 TO-220C 10N65 -220C 650V 10A 英文版10N65技术规格书.pdf
13A 500V N-kanavainen lisätila teho MOSFET 13N50 TO-220C 13N50 -220C 500V 13A 英文版13N50技术规格书.pdf
N-kanavan parannustilan teho MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800V 4A 英文版B4N80技术规格书.pdf
41A 650V N-kanavainen SIC Power MOSFET DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 TO-247 650V 41A DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
5A 1200V SiC Schottky Barrier Diodi DCD05D120G3
14A 650V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F14N65 TO-220F F14N65 TO-220F 650V 14A 英文版F14N65技术规格书AY3.pdf
12A 650V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET F12N65 F12N65 TO-220F 650V 12A 英文版F12N65技术规格书REV1.0.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com