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MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 81A 30V DHP90N03 DFN5X6-8L DHP90N03 DFN5*6 30V 81A Donghai_DHP90N03_YAF Fiche technique_ V1.0(1).pdf
Diode barrière Schottky 30A 100V TO-220M MBR30100CT TO-220M 100V 30A Fichier MBR30100CT pour REV1.0.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100V -35A Donghai_DH100P30D_Datasheet_V1.0+.pdf
13N90
Diode SchottkyBarrier 20A 45V MBR2045CT TO-220C MBR2045CT TO-220C 45V 20A Fichier MBR2045CT.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 5A 650V D5N65-XAD TO-252B D5N65-XAD TO-252B 650V 5A Document D5N65-XAD.pdf
Diode SchottkyBarrier 20A 200V MBR20200CT TO-220M MBR20200CT TO-220M 200V 20A Fichier MBR20200CT技术规格书REV1.1.pdf
Diode SchottkyBarrier 30A 60V MBR3060CT TO-220M MBR3060CT TO-220M 60V 30A Fichier MBR3060CT pour REV1.1(1).pdf
6N90/F6N90
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 8A 500V D8N50 TO-252B D8N50 TO-252B 500V 8A Fichier D8N50技术规格书REV1.1.pdf
20N90D/20N90B
MOSFET de puissance Super jonction canal N 25A 650V DHSJ25N65F TO-220C DHSJ25N65F TO-220C 650V 25A Spécifications de l'appareil DHSJ25N65F.pdf
Diode barrière Schottky 10A 200V MBRF10R200CT TO-220F 200V 10A Description du produit MBRF10R200CT.pdf
9N90/F9N90/E9N90
Diode barrière Schottky SiC 20A 650V DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650V 20A Spécifications de l'appareil DCE20D65G4.pdf
Diode barrière Schottky 30A 200V MBRF30200CT TO-220F MBRF30200CT TO-220F 200V 30A Fichier MBRF30200CT pour REV1.0.pdf
Diode de récupération rapide 20A 400V MURF2040CT TO-220F MURF2040CT TO-220F 400V 20A Fichier MURF2040CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 160A, 120V, DHS044N12 TO-220C DHS044N12 TO-220C 120V 160A Spécification de l'appareil DHS044N12.pdf
85V/2,9mΩ/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C DH025N08 TO-220C 85V 215A Donghai_DH025N08_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance Super jonction canal N 70A 650V DJC070N65M2 TO-247 DJC070N65M2 TO-247 650V 70A Appareil DJC070N65M2 Spécification Rev.1.0.pdf

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