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MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 4A 1500V DH4N150F TO-3PF DH4N150F TO-3PF 1500V 4A Description du produit DH4N150F.pdf
Transistor bipolaire à porte isolée 60A 650V G60T65D TO-3PN DHG60T65D TO-3PN 650V 60A Spécification de l'appareil DHG60T65D (TO-3PN) Rev1.2.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 60A 68V DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 TO-220C 60V 60A Spécification de l'appareil DH60N06+.pdf
MOSFET de puissance F10N80 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N, 10A, 800V F10N80 TO-220F 800V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500V 13A Fichier F13N50技术规格书R1.1.pdf
MOSFET de puissance F12N60 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N, 12A 600V F12N60 TO-220F 600V 12A Fichier F12N60技术规格书REV1.0(1).pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 23A 500V 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 4A 600V B4N60 B4N60 TO-251B 600V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
Module IGBT demi-pont 50A 1200V DHG50N120D 34mm DHG50N120D 34mm 1200V 50A DHG50N120D.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 7A 700V D7N70 TO-252B D7N70 TO-252B 700V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 5A 650V B5N65 TO-251B B5N65 TO-251B 650V 5A 英文版B5N65技术规格书MAX.pdf
Module IGBT demi-pont 75A 1200V DGA75H120M2T 34mm DGA75H120M2T 34mm 1200V 75A DGA75H120M2T.pdf
MOSFET de puissance SiC canal N 20 mΩ 650 V DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 TO-247 650V 92A DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Fiche technique_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 10A 650V 10N65 TO-220C 10N65 TO-220C 650V 10A 英文版10N65技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 13A 500V 13N50 TO-220C 13N50 TO-220C 500V 13A 英文版13N50技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800V 4A 英文版B4N80技术规格书.pdf
MOSFET de puissance SIC canal N 41A 650V DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 TO-247 650V 41A DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Fiche technique_V1.0.pdf
Diode barrière Schottky SiC 5A 1200V DCD05D120G3
MOSFET de puissance F14N65 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N, 14A 650V F14N65 TO-220F 650V 14A 英文版F14N65技术规格书AY3.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 12A 650V F12N65 F12N65 TO-220F 650V 12A Fichier F12N65技术规格书REV1.0.pdf

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