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81 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHP90N03 DFN5X6-8L DHP90N03 DFN5*6 30V 81A Donghai_DHP90N03_YAF Datenblatt_ V1.0(1).pdf
30 A 100 V Schottky-Diode TO-220M MBR30100CT TO-220M 100V 30A Siehe MBR30100CT und REV1.0.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100V -35A Donghai_DH100P30D_Datasheet_V1.0+.pdf
13N90
20A 45V SchottkyBarrierDiode MBR2045CT TO-220C MBR2045CT TO-220C 45V 20A Lesen Sie das Dokument MBR2045CT.pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 5A 650V D5N65-XAD TO-252B D5N65-XAD TO-252B 650V 5A 英文版D5N65-XAD术规格书.pdf
20A 200V SchottkyBarrierDiode MBR20200CT TO-220M MBR20200CT TO-220M 200V 20A Siehe MBR20200CT und REV1.1.pdf
30A 60V SchottkyBarrierDiode MBR3060CT TO-220M MBR3060CT TO-220M 60V 30A 英文版MBR3
6N90/F6N90
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 8A 500V D8N50 TO-252B D8N50 TO-252B 500V 8A 英文版D8N50术规格书REV1.1.pdf
20N90D/20N90B
25A 650V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DHSJ25N65F TO-220C DHSJ25N65F TO-220C 650V 25A Gerätespezifikation DHSJ25N65F.pdf
10A 200V SchottkyBarrierDiode MBRF10R200CT TO-220F 200V 10A 英文版MBRF10R200CT技术规格书.pdf
9N90/F9N90/E9N90
20 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650V 20A Gerätespezifikation DCE20D65G4.pdf
30 A 200 V Schottky-Diode MBRF30200CT TO-220F MBRF30200CT TO-220F 200V 30A 英文版MBRF30200CT术规格书REV1.0.pdf
20A 400V Fast-Recovery-Diode MRF2040CT TO-220F MURF2040CT TO-220F 400V 20A Weitere Informationen finden Sie unter MURF2040CT und REV1.0.pdf
160 A 120 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS044N12 TO-220C DHS044N12 TO-220C 120V 160A Gerätespezifikation DHS044N12.pdf
85V/2,9mΩ/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C DH025N08 TO-220C 85V 215A Donghai_DH025N08_Datasheet_V1.0.pdf
70 A 650 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DJC070N65M2 TO-247 DJC070N65M2 TO-247 650V 70A Gerät DJC070N65M2 Spezifikation Rev.1.0.pdf

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