N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 80A 60V D80N06 TO-252B

N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 80 A 60 V

1 Beschreibung 

Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETS mit Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Hoher Lawinenstrom 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen 

● DC-DC-Wandler 

● USV-Stromversorgung 

● LED-Boost

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
60V	7 mΩ	80A