N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET 80A 60V D80N06 bis 252B

N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 80A 60V

1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● hoher Lawinenstrom 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen 

● DC-DC-Konverter 

● UPS -Stromversorgung 

● LED -Boost

VDSS	RDS (ON) (Typ)	AUSWEIS
60 V	7 Mω	80a