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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 80A 60V D80N06 TO-252B

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 80 A 60 V
Disponibilité :
Quantité :

MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 80A 60V


1 Descriptif 

Ces MOSFETS de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisent une technologie de tranchée avancée, offrant un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques 

● Commutation rapide 

● Fort courant d'avalanche 

● Faible résistance 

● Faible charge de porte 

● Faibles capacités de transfert inverse 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test ΔVDS 100 % 


3 candidatures 

● Applications de commutation de puissance 

● Convertisseurs DC-DC 

● Alimentation UPS 

● Amplification des LED

VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
60V 7 mΩ 80A


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