MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 80A 60V
1 Descriptif
Ces MOSFETS de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisent une technologie de tranchée avancée, offrant un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
2 Caractéristiques
● Commutation rapide
● Fort courant d'avalanche
● Faible résistance
● Faible charge de porte
● Faibles capacités de transfert inverse
● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %
● Test ΔVDS 100 %
3 candidatures
● Applications de commutation de puissance
● Convertisseurs DC-DC
● Alimentation UPS
● Amplification des LED
| VDSS |
RDS (activé) (TYP) |
IDENTIFIANT |
| 60V |
7 mΩ |
80A |