Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 80A 60V
1 descripción
Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
● Cambio rápido
● Corriente de alta avalancha
● Bajo en resistencia
● carga de puerta baja
● Capacitancias de transferencia inversa bajas
● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%
● Prueba de 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Aplicaciones de conmutación de encendido
● Convertidores DC-DC
● Fuente de energía UPS
● Boost LED
VDSS |
RDS (ON) (typ) |
IDENTIFICACIÓN |
60V |
7 MΩ |
80A |