Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 80A 60V D80N06 TO-252B

Modo de mejora de canal N Potencia MOSFET 80A 60V

1 Descripción 

Estos MOSFETS de potencia de modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido 

● Alta corriente de avalancha 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Bajas capacidades de transferencia inversa 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía 

● Convertidores CC-CC 

● Fuente de alimentación del SAI 

● Impulso LED

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
60V	7 mΩ	80A