DHU3N90/DHD3N90

3A 900V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Welches mit den ROHS übereinstimmt

Standard. 

2 Merkmale

● schnelles Umschalten

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 5,5 Ω)

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 16NC)

● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 6.5PF)

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test

3 Anwendungen

 Verwendet in verschiedenen Stromschaltkreis für die Systemminiaturisierung und höhere Effizienz.

 Stromschalterkreis von Elektronenballast und Adapter.