ရရှိမှု - | |
---|---|
အရေအတွက် - | |
3a 900V N-channel ကိုတိုးမြှင့်ခြင်း Mode Proper Mosfet Mosfet
1 ဖော်ပြချက်
ဤ N-channel ကိုတိုးမြှင့် vdomosfets များကို Self-Aligned Planar နည်းပညာဖြင့်ရရှိသော Self-alignal loss loss သည် switching performance ကိုတိုးတက်စေရန်နှင့်ပြိုလဲစွမ်းအင်ကိုမြှင့်တင်ပေးသည်။ အရာ rohs နှင့်အတူအညီ
စံ။
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
●မြန်ဆန်စွာ switching
●ခုခံခြင်းအပေါ်အနိမ့်ဆုံး (rdson≤5.5ω)
●ဂိတ်အနိမ့်အနိမ့် (16nc)
●ပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းငွေပမာဏအနိမ့် (6.5pf)
● 100% တစ်ခုတည်းသွေးခုန်နှုန်း avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% δvdsစမ်းသပ်မှု
3
system system miniaturization နှင့်ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက်ပါဝါ switching circuit များတွင်အသုံးပြုသည်။
အီလက်ထရွန်လှေနှင့် adapter ၏ power switch switch ကို circuit ။
VDSS | RDS (အပေါ်) | သတ် |
900V | 4.7ω | လေ |
3a 900V N-channel ကိုတိုးမြှင့်ခြင်း Mode Proper Mosfet Mosfet
1 ဖော်ပြချက်
ဤ N-channel ကိုတိုးမြှင့် vdomosfets များကို Self-Aligned Planar နည်းပညာဖြင့်ရရှိသော Self-alignal loss loss သည် switching performance ကိုတိုးတက်စေရန်နှင့်ပြိုလဲစွမ်းအင်ကိုမြှင့်တင်ပေးသည်။ အရာ rohs နှင့်အတူအညီ
စံ။
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
●မြန်ဆန်စွာ switching
●ခုခံခြင်းအပေါ်အနိမ့်ဆုံး (rdson≤5.5ω)
●ဂိတ်အနိမ့်အနိမ့် (16nc)
●ပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းငွေပမာဏအနိမ့် (6.5pf)
● 100% တစ်ခုတည်းသွေးခုန်နှုန်း avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% δvdsစမ်းသပ်မှု
3
system system miniaturization နှင့်ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက်ပါဝါ switching circuit များတွင်အသုံးပြုသည်။
အီလက်ထရွန်လှေနှင့် adapter ၏ power switch switch ကို circuit ။
VDSS | RDS (အပေါ်) | သတ် |
900V | 4.7ω | လေ |