Առկայություն. | |
---|---|
Քանակ: | |
3A 900V N-ալիքի ուժեղացման ռեժիմ Power Mosfet
1 Նկարագրություն
Այս N- հեռուստաընկերությունը բարելավված VDMosfets, ստացվում է ինքնահավասարեցած պլանի տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է անցկացման կորուստը, բարելավում է փոխարկումը կատարումը եւ բարձրացնում է ավալանշի էներգիան: Որոնք համաձայն են ROHS- ի հետ
ստանդարտ:
2 առանձնահատկություններ
● արագ անցում
● ցածր դիմադրություն (RDSON≤5.5ω)
● ցածր դարպասի լիցքավորում (մուտք, 16NC)
● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (մուտք, 6.5PF)
● 100% միայնակ զարկերակային ավալանշի էներգիայի թեստ
● 100% δvds թեստ
3 դիմում
Օգտագործվում է տարբեր էլեկտրական անջատիչ միացման համակարգի մանրանկարչության եւ ավելի բարձր արդյունավետության համար:
Էլեկտրոնային բալաստի եւ ադապտերի էլեկտրական անջատիչ միացում:
VDSS | RDS (ON) (TYP) | Id |
900 վ | 4.7ω | 3 ա |
3A 900V N-ալիքի ուժեղացման ռեժիմ Power Mosfet
1 Նկարագրություն
Այս N- հեռուստաընկերությունը բարելավված VDMosfets, ստացվում է ինքնահավասարեցած պլանի տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է անցկացման կորուստը, բարելավում է փոխարկումը կատարումը եւ բարձրացնում է ավալանշի էներգիան: Որոնք համաձայն են ROHS- ի հետ
ստանդարտ:
2 առանձնահատկություններ
● արագ անցում
● ցածր դիմադրություն (RDSON≤5.5ω)
● ցածր դարպասի լիցքավորում (մուտք, 16NC)
● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (մուտք, 6.5PF)
● 100% միայնակ զարկերակային ավալանշի էներգիայի թեստ
● 100% δvds թեստ
3 դիմում
Օգտագործվում է տարբեր էլեկտրական անջատիչ միացման համակարգի մանրանկարչության եւ ավելի բարձր արդյունավետության համար:
Էլեկտրոնային բալաստի եւ ադապտերի էլեկտրական անջատիչ միացում:
VDSS | RDS (ON) (TYP) | Id |
900 վ | 4.7ω | 3 ա |