DHU3N90/DHD3N90

3A 900V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน

1 คำอธิบาย

vdmosfets ที่ปรับปรุงด้วย N-channel เหล่านี้ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบแนวระนาบในตัว ซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้า ปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับ และเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับ RoHS

มาตรฐาน. 

2 คุณสมบัติ

● การสลับอย่างรวดเร็ว

● ความต้านทานต่ำ (Rdson≤5.5Ω)

● ค่าเกตต่ำ (ประเภท: 16nC)

● ความจุการถ่ายโอนย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 6.5pF)

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100%

● การทดสอบ ΔVDS 100%

3 การใช้งาน

 ใช้ในวงจรสวิตชิ่งกำลังต่างๆ เพื่อการย่อขนาดระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น

วงจรสวิตช์ไฟของบัลลาสต์อิเล็กตรอนและอะแดปเตอร์

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
900V	4.7Ω	3เอ