Elérhetőség: | |
---|---|
Mennyiség: | |
3A 900V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely összhangban áll a Rohs -szal
standard.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Alacsony az ellenállás (rdson≤5,5Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 16NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TIP: 6.5PF)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
A rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra történő különféle teljesítménykapcsoló áramkörben használják.
Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
900 V -os | 4.7Ω | 3A |
3A 900V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely összhangban áll a Rohs -szal
standard.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Alacsony az ellenállás (rdson≤5,5Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 16NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TIP: 6.5PF)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
A rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra történő különféle teljesítménykapcsoló áramkörben használják.
Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
900 V -os | 4.7Ω | 3A |