DHU3N90/DHD3N90

3A 900V N-channel ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET

1 መግለጫ

እነዚህ የኤን-ቻናል የተሻሻሉ vdmosfets፣ የተገኘው በራስ ተሰልፎ ባለው የፕላነር ቴክኖሎጂ የኮንዳክሽን መጥፋትን የሚቀንስ፣ የመቀያየር አፈጻጸምን የሚያሻሽል እና የጎርፍ አደጋን ይጨምራል። የትኛው ከ RoHS ጋር ይስማማል።

መደበኛ. 

2 ባህሪያት

● ፈጣን መቀያየር

● የመቋቋም ችሎታ ዝቅተኛ (Rdson≤5.5Ω)

● ዝቅተኛ የበር ክፍያ (አይነት፡ 16nC)

● ዝቅተኛ የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም (አይነት፡ 6.5pF)

● 100% ነጠላ የpulse avalanche energy ሙከራ

● 100% ΔVDS ፈተና

3 መተግበሪያዎች

 በተለያዩ የሃይል መቀየሪያ ወረዳዎች ውስጥ ለስርዓት አነስተኛነት እና ለከፍተኛ ውጤታማነት ያገለግላል።

 የኤሌክትሮን ባላስት እና አስማሚ የኃይል መቀየሪያ ዑደት።

ቪዲኤስኤስ	RDS(በርቷል)(TYP)	መታወቂያ
900 ቪ	4.7Ω	3A