DHU3N90/DHD3N90

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 3A y 900 V

1 Descripción

Estos vdmosfets mejorados de canal N se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha. Que cumple con RoHS

estándar. 

2 características

● Cambio rápido

● Baja resistencia (Rdson≤5.5Ω)

● Carga de puerta baja (tipo: 16 nC)

● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 6,5 pF)

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones

 Se utiliza en varios circuitos de conmutación de energía para miniaturizar el sistema y lograr una mayor eficiencia.

 Circuito de interruptor de alimentación del balastro electrónico y adaptador.

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
900V	4,7Ω	3A