DHU3N90/DHD3N90

3A 900V N-Canal Modo de mejora de potencia MOSFET

1 descripción

Estos VDMOSFET mejorados con el canal N, se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejoran el rendimiento del cambio y mejora la energía de avalancha. Que concuerda con el rohs

estándar. 

2 características

● Cambio rápido

● Baja de resistencia (rdson≤5.5Ω)

● Baja carga de puerta (típ: 16 nc)

● Capacitancias de transferencia inversa bajas (típ: 6.5pf)

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%

● Prueba de 100% ΔVDS

3 aplicaciones

 Utilizado en varios circuitos de conmutación de potencia para la miniaturización del sistema y una mayor eficiencia.

 Circuito de interruptor de encendido de bolas de electrones y adaptador.