DHU3N90/DHD3N90

3A 900V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET

1 説明

これらの N チャネル強化 vdmosfet は、伝導損失を低減し、スイッチング性能を向上させ、アバランシェ エネルギーを強化する自己整合プレーナ技術によって得られます。 RoHSに準拠しているもの

標準。 

2 特徴

●高速スイッチング

●低オン抵抗(Rdson≦5.5Ω)

● 低いゲート電荷(Typ: 16nC)

●低い逆伝達容量(Typ:6.5pF)

● 100%シングルパルスアバランシェエネルギー試験

● 100% ΔVDS テスト

3 アプリケーション

 システムの小型化、高効率化を図るため、各種電源スイッチング回路に使用されます。

 電子安定器とアダプターの電源スイッチ回路。

VDSS	RDS(オン)(TYP)	ID
900V	4.7Ω	3A