DHU3N90/DHD3N90

3A 900V Način izboljšanja N-kanala Power MOSFET

1 opis

Te N-kanale, izboljšane VDMOSFET-je, dobimo s samovredno planarno tehnologijo, ki zmanjšuje izgubo prevodnosti, izboljšuje zmogljivost preklopa in izboljšuje energijo plazov. Ki se v skladu z ROHS

standardno. 

2 značilnosti

● Hitro preklapljanje

● Nizko odpornost (rdson≤5,5Ω)

● Nizka naboj vrat (Typ: 16NC)

● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom (Typ: 6.5pf)

● 100% enojni preskus energije z enim impulzom

● 100% ΔVDS test

3 aplikacije

 Uporablja se v različnih preklopnih vezjih za sistemsko miniaturizacijo in večjo učinkovitost.

 Vklopno stikalo elektronskega balasta in adapterja.