DHU3N90/DHD3N90

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 3 A 900 V

1 Descriptif

Ces vdmosfets améliorés à canal N sont obtenus grâce à la technologie planaire auto-alignée qui réduit la perte de conduction, améliore les performances de commutation et améliore l'énergie d'avalanche. Ce qui est conforme au RoHS

standard. 

2 Caractéristiques

● Commutation rapide

● Faible résistance (Rdson≤5,5Ω)

● Faible charge de grille (type : 16 nC)

● Faibles capacités de transfert inverse (type : 6,5 pF)

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

● Test 100 % ΔVDS

3 candidatures

 Utilisé dans divers circuits de commutation de puissance pour la miniaturisation du système et une efficacité plus élevée.

 Circuit de commutation d'alimentation du ballast électronique et de l'adaptateur.

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
900V	4,7Ω	3A