未命名(1)(8) (1)
ประตู
มณฑลเจียงซูตงไห่เซมิคอนดักเตอร์บจก
คุณอยู่ที่นี่: บ้าน » ผลิตภัณฑ์
แบบอย่าง:
บรรจุุภัณฑ์:
วี:
ตอบ:
สายผลิตภัณฑ์ที่เลือก:

สินค้าทั้งหมด

รูปภาพ โมเดล แพ็คเกจ V เอกสาร รายละเอียด ข้อมูล สอบถาม เพิ่มลงตะกร้า
7A 650V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET 7N65 TO-220C 7N65 TO-220C 650V 7เอ ภาษาอังกฤษ7N65技术规格书.pdf
15A 650V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET 15N65 TO-220C 15N65 TO-220C 650V 15เอ
30A 60V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60V 30เอ ข้อมูลจำเพาะของอุปกรณ์ DHZ24B31.pdf
30A 650V Trenchstop ฉนวนเกตไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ DGF30F65M2 TO-220F DGF30F65M2 TO-220F 650V 30เอ _datasheet.pdf
110A 60V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E ถึง-263 60V 110เอ อุปกรณ์+DH066N06+ข้อมูลจำเพาะ+Rev.2.0.pdf
18A 100V P-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100V 18เอ ข้อมูลจำเพาะของอุปกรณ์ DH100P18 B79.pdf
17A 650V N-channel ซุปเปอร์จังชั่นเพาเวอร์ MOSFET DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650V 17ก ข้อมูลจำเพาะของอุปกรณ์ DHSJ17N65.pdf
60A 300V ไดโอดฟื้นตัวเร็ว MUR6030NCS TO-3PN MUR6030NCS TO-3PN 300V 60เอ ภาษาอังกฤษ版MUR6030NCS技术规格书.pdf
10A 45V ไดโอดแบริเออร์ชอทกี้ MBRF1045CT TO-220F MBRF1045CT TO-220F 45V 10เอ 英文版MBR1045CT series技术规格书.pdf
600A 1200V โมดูลฮาล์ฟบริดจ์ DGB600H120L2T 62 มม. DGB600H120L2T 62มม 1200V 600A DGB600H120L2T.pdf
110A 85V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 TO-220C 85V 110เอ ข้อมูลจำเพาะของอุปกรณ์ DHS055N85.pdf
100V/2mΩ/281A N-MOSFET ค่าผ่านทาง DSU023N10N3 ค่าผ่านทาง 100V 281เอ DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
10A 700V ไดโอดฟื้นตัวเร็ว MUR1070 TO-220-2L MUR1070 TO-220-2L 700V 10เอ ภาษาอังกฤษ版MUR1070技术规格书.pdf
40A 600V ไดโอดฟื้นตัวเร็ว MUR40FU60DCT TO-3PN MUR40FU60DCT TO-3PN 600V 40เอ ภาษาอังกฤษ版MUR40FU60DCT技术规格书.pdf
10A 600V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET F10N60 TO-220F F10N60 TO-220F 600V 10เอ ภาษาอังกฤษF10N60技术规格书.pdf
10A 700V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET F10N70 TO-220F F10N70 TO-220F 700V 10เอ ภาษาอังกฤษF10N70技术规格书REV1.0.pdf
20A 200V ไดโอดแบริเออร์ MBRF20200CT TO-220F MBRF20200CT TO-220F 200V 20เอ ภาษาอังกฤษ版MBRF20200CT技术规格书REV1.1.pdf
30A 45V ต่ำ VF SchottkyBarrierDiode MBR30R45CTS TO-220C MBR30R45CTS TO-220C 45V 30เอ 英文版MBR30R45CTS series技术规格书.pdf
180A 85V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 TO-220C 85V 180A DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel กระแสไฟ MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30V 100A ข้อมูลจำเพาะของอุปกรณ์ DH100N03 B13.pdf

วิดีโอผลิตภัณฑ์

  • มณฑลเจียงซูตงไห่เซมิคอนดักเตอร์บจก
  • ลงทะเบียนเพื่อรับจดหมายข่าวของเรา
  • เตรียมพร้อมสำหรับอนาคต
    สมัครรับจดหมายข่าวของเราเพื่อรับข้อมูลอัปเดตตรงถึงกล่องจดหมายของคุณ
    ส่ง
ลิขสิทธิ์© 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd เทคโนโลยีโดย leadong.com