7N80/F7N80/E7N80

7A 800V N-channel พลัง MOSFET โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ

1 คำอธิบาย

vdmosfets ที่ปรับปรุงด้วย N-channel เหล่านี้ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบแนวระนาบในตัว ซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้า ปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับ และเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับ RoHS

มาตรฐาน. 

2 คุณสมบัติ

● การสลับอย่างรวดเร็ว

● ความสามารถที่ได้รับการปรับปรุง ESD

● ความต้านทานต่ำ (Rdson≤1.8Ω)

● ค่าเกตต่ำ (ประเภท: 33.9nC)

● ความจุการถ่ายโอนย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 11.2pF)

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100%

● การทดสอบ ΔVDS 100%

3 การใช้งาน

 ใช้ในวงจรสวิตชิ่งกำลังต่างๆ เพื่อการย่อขนาดระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น

วงจรสวิตช์ไฟของบัลลาสต์อิเล็กตรอนและอะแดปเตอร์

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
800V	1.5Ω	7เอ