brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
10A 100V Schottky'egoDioda barierowa MBR10100CT TO-252B MBR10100CT TO-252B 100 V 10A 英文版MBR10100CT技术规格书.pdf
75A 1200 V Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką Trenchstop DGC75F120M2 TO-247PLUS DGC75F120M2 TO-247PLUS 1200 V 75A _datasheet-V1.2.pdf
25A 650V N-kanałowy superzłącze mocy MOSFET DHSJ25N65F TO-220C DHSJ25N65F TO-220C 650 V 25A Specyfikacja urządzenia DHSJ25N65F.pdf
12A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60 V 12A Specyfikacja urządzenia D12N06 (TO-252B).pdf
Dioda barierowa Schottky’ego 10 A 200 V MBRF10R200CT TO-220F 200 V 10A Plik MBRF10R200CT技术规格书.pdf
40A 150V Schottky'egoDioda barierowa MBR40150CT TO-263 MBR40150CT TO-263 150 V 40A Plik źródłowy MBR40150CT 技术规格书.pdf
15A 40V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40 V -30A AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
4A 700V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F4N70 TO-220F F4N70 TO-220F 700 V 4A 英文版F4N70技术规格书(1).pdf
7A 600V N-kanałowy tryb wzmocnienia mocy MOSFET F7N60 F7N60 TO-220F 600 V 7A 英文版F7N60技术规格书.pdf
7A 800V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F7N80 TO-220F F7N80 TO-220F 800 V 7A 英文版F7N80技术规格书.pdf
4A 650 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F4N65 TO-220F F4N65 TO-220F 650 V 4A 英文版F4N65 技术规格书MAXREV1.0.pdf
120A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCC016M120G2 / DCCF016M120G2 DCC016M120G2 TO-247 1200 V 120A DCC016M120G2 i DCCF016M120G2_Arkusz danych_V1.0.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 25A 1700V SiC DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700 V 25A Specyfikacja urządzenia DCCT25D170G1.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650 V SiC DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650 V 20A Specyfikacja urządzenia DCE20D65G4.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 30A 200V MBRF30200CT TO-220F MBRF30200CT TO-220F 200 V 30A Pobierz MBRF30200CT 技术规格书REV1.0.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 20A 400V MURF2040CT TO-220F MURF2040CT TO-220F 400 V 20A Pobierz MURF2040CT 技术规格书REV1.0.pdf
160A 120V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS044N12 TO-220C DHS044N12 TO-220C 120 V 160A Specyfikacja urządzenia DHS044N12.pdf
85V/2,9mΩ/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C DH025N08 TO-220C 85 V 215A DH025N08_Arkusz danych_V1.0.pdf
70A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DJC070N65M2 TO-247 DJC070N65M2 TO-247 650 V 70A Specyfikacja urządzenia DJC070N65M2 Wersja 1.0.pdf
70A 82V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH8290 TO-220C DH8290 TO-220C 82V 70A Specyfikacja urządzenia DH8290.pdf

Film o produkcie

  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą