未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
Dioda barierowa Schottky'ego 25A 650V SiC DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 10A 600V 10N60 10N60
5A 500 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 5N50 5N50
180A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 TO-220C 60 V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+karta katalogowa+wersja 1.0.pdf
16A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650 V 16A Donghai DHSJ21N65Z Karta katalogowa V1.0(1).pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500 V 13A 英文版E13N50技术规格书.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700 V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf
10,6 A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650 V 10,6A Specyfikacja urządzenia DJF380N65T Rev.1.0.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 80A 1200V MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200 V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
-140A -60V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60 V -140A Urządzenie+DTG050P06LA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 80A 200V MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA TO-3PN 200 V 80A 英文版MUR80FU20NCA 技术规格书.pdf
8A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650 V 8A F8N65 技术规格书.pdf
180A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100 V 180A Urządzenie+DSE026N10NA i DSG028N10NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
Moduł półmostkowy IGBT 100A 1200V DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34 mm 1200 V 100A DGA100H120M2T.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60 V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+karta katalogowa+wersja 1.0.pdf
50A 200V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200 V 50A Specyfikacja urządzenia F50N20(1).pdf
150A 1200V Moduł półmostkowy Moduł IGBT DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34 mm 1200 V 150A DGA150H120L2T.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 4A 650V SiC DCD04D65G4 TO-252B 650 V 4A Specyfikacja urządzenia DCD04D65G4.pdf
150A 1200V Moduł półmostkowy Moduł IGBT DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34 mm 1200 V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
6A 650 V Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką Trenchstop DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650 V 6A _arkusz danych.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com