未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
70A 82V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH8290 TO-220C DH8290 TO-220C 82V 70A Specyfikacja urządzenia DH8290.pdf
160A 120 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS044N12E TO-263 DHS044N12E TO-263 120 V 160A Donghai_DHS044N12&DHS044N12E_Arkusz danych_V1.0.pdf
600A 1200V Moduł półmostkowy DGD600H120L2T PAKIET EconoDUAL3 DGD600H120L2T EconoDUAL3 1200 V 600A DGD600H120L2T-REV1.1.pdf
SchottkyBarrierDioda 10A 200V MBR10200CT TO-220M MBR10200CT TO-220M 200 V 10A Przeczytaj MBR10200CT 技术规格书REV-1.1.pdf
100V/15mΩ/50A N-MOSFET TO-252B DHS180N10LD TO-252B 100 V 50A Donghai_DHS180N10LD_Arkusz danych_V1.0-SOQ.pdf
10A 100V Schottky'egoDioda barierowa MBR10100CT TO-252B MBR10100CT TO-252B 100 V 10A 英文版MBR10100CT技术规格书.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 145A 60V DH045N06 TO-220C DH045N06 TO-220C 60 V 145A Specyfikacja urządzenia DH045N06.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650 V SiC DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650 V 20A Specyfikacja urządzenia DCD20D65G4.pdf
100A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH066N06D TO-252B DH066N06D TO-252B 60 V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
16A 600V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F16N60 TO-220F F16N60
Dioda szybkiego odzyskiwania 80A 600V MUR8060FCT TO-3PF MUR8060FCT TO-3PF 600 V 80A Przeczytaj MUR8060FCT 技术规格书REV1.0.pdf
30 mΩ 1200 V N-kanałowy SiC MOSFET mocy DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
20A 45V NISKI VF Schottky'egoDioda barierowa MBR20R45CT TO-263 MBR20R45CT TO-263 45 V 20A 英文版MBR20R45CT技术规格书.pdf
10A 150V Schottky'egoDioda barierowa MBR10150CT TO-220M MBR10150CT TO-220M 150 V 10A MBR10150CT技术规格书.pdf
25A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 25N10 TO-220C 25N10 TO-220C 100 V 25A Specyfikacja urządzenia 25N10.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 60A 600V MUR6060NCT TO-3PN MUR6060NCT TO-3PN 600 V 60A Plik MUR6060NCT技术规格书.pdf
50A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD50N03 TO-252B DHD50N03 TO-252B 30 V 50A Donghai_DHB50N03&DHD50N03_Arkusz danych_V1.0.pdf
150 V/9,5 mΩ/52 A N-MOSFET DHS110N15F TO-220F DHS110N15F TO-220F 150 V 52A Donghai+DHS110N15F+arkusz danych+V1.0.pdf
100A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30 V 100A Donghai_30H10_Datasheet_V1.0.pdf
4,5 A, 650 V, tryb wzmocnienia kanału N, MOSFET mocy F5N65C TO-220F F5N65C TO-220F 650 V 4,5A 英文版F5N65C 技术规格书REV1.1.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com