未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
Wybrane linie produktów:

Wszystkie produkty

obrazu modelu Pakiet V A arkusza szczegółowe informacje na temat danych Dodaj do kosza
80A 400V Dioda szybkiego odzyskiwania MUR80FU40NCT TO-3PN MUR80FU40NCT TO-3PN 400 V. 80a 英文版 MUR80FU40NCT 技术规格书 Rev1.3.pdf
145A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30 V. 145a Urządzenie DH028N03 Specyfikacja.pdf
50A 120 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET DH150N12 TO-220C DH150N12 To-220C 120 V. 50a Urządzenie DH150N12 Specyfikacja PDF
20A 60 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH9Z24 TO-220C DH9Z24 To-220C 60 V. 20a Urządzenie DH9Z24B1R Specyfikacja Rev.1.0.pdf
-30a -60 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH400P06LD do 252b DH400P06LD TO-252B -60 V. -30a DH400P06LD i DH400P06LB_DATASHEET_V2.0.PDF
240A 100 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 To-220C 100 V. 240a Urządzenie DHS025N10 Specyfikacja.pdf
30A 600V Dioda szybkiego odzyskiwania Mur3060NCT do-3pn Mur3060nct TO-3PN 600V 30a 英文版 MUR3060NCT 技术规格书 Rev1.0.pdf
16A 400V Dioda szybkiego odzyskiwania MUR1640CT TO-220M Mur1640ct Do-220m 400 V. 16a 英文版 Mur1640ct 技术规格书 Rev1.0.pdf
120A 100 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R To-220C 100 V. 120a Urządzenie DH10H037R Specyfikacja. PDF
20A 100V Schottkybardiode MBRA20100CT do-220m MBRA20100CT
63A 60V N-Kanannel Tryb wzmocnienia MOSFET MOSFET DH132N06/DH132N06F/DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
30A 60V NEC Cannel Elfancement Moc MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 To-220C 60 V. 30a Urządzenie DHZ24B31 Specyfikacja.pdf
10A 500 V Tryb wzmacniający N MOSFET MOSFET F10N50 TO-220F F10N50 Do-220f 500 V. 10a 英文版 F10N50 技术规格书 (1) .pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 To-220C 85 V. 120a Urządzenie DHS045N88 Specyfikacja-Rev.1.0.pdf
20A 650 V Tryb wzmacniający N MOSFET MOSFET 20N65D TO-3P 20N65d TO-3PN 650 V. 20a 英文版 20N65D 技术规格书 Rev1.0.pdf
20A 500 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET MOSFET F20N50 F20N50 Do-220f 500 V. 20a 英文版 F20N50 技术规格书 Rev1.1.pdf
Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D TO-252B -100V -30a Urządzenie DH100P28 Specyfikacja.pdf
10a 150 V niski schottkybarrierdiode MBR10R150CT do-220c MBR10R150CT To-220C 150 V. 10a 英文版 MBR10R150CT 技术规格书 .pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 60A 200V MU6020NCT do 3pn Mur6020NCT TO-3PN 200 V. 60a 英文版 Mur6020NCT 技术规格书 Rev1.0.pdf
10A 400 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET 740 TO-220C 740 To-220C 400 V. 10a Device 740 Specyfikacja.pdf

Wideo produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com