Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
25А 650В барьерный диод ДКЭТ20Д65Г3 Карбида Шоттки ТО-263-2 ДЦЭТ20Д65Г3
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 10 А, 600 В, 10N60 10Н60
5А, 500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор 5N50 5Н50
180 А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS015N06 TO-220C ДХС015Н06 ТО-220С 60В 180А Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+техническое описание+ред.1.0.pdf
N-канальный силовой МОП-транзистор с суперпереходом, 16 А, 650 В, DHSJ21N65Z PDFN4 (8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650В 16А Donghai DHSJ21N65Z Техническое описание V1.0(1).pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 13 А, 500 В E13N50 TO-263 Е13Н50 ТО-263 500В 13А 英文版E13N50技术规格书.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 7А, 700 В B7N70 TO-251B Б7Н70 ТО-251Б 700В 7А 英文版B7N70技术规格书.pdf
N-канальный силовой МОП-транзистор с суперпереходом, 10,6 А, 650 В DJF380N65T TO-220F DJF380N65T ТО-220Ф 650В 10,6А Спецификация устройства DJF380N65T, версия 1.0.pdf
80А 1200В Диод быстрого восстановления MUR80120 TO-247-2L MUR80120 ТО-247-2Л 1200В 80А 英文版MUR80120技术规格书.pdf
-140A -60V Режим улучшения P-канала Power MOSFET DTG050P06LA TO-220C ДТГ050П06ЛА ТО-220С -60В -140А Устройство+DTG050P06LA+Спецификация+Ред.1.0.pdf
80А 200В Диод быстрого восстановления MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA ТО-3ПН 200В 80А 英文版MUR80FU20NCA技术规格书.pdf
8А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F8N65 TO-220F Ф8Н65 ТО-220Ф 650В 8А F8N65技术规格书.pdf
180 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSE026N10NA TO-263 ДСЕ026Н10НА ТО-263 100 В 180А Устройство+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Спецификация+Ред.1.0.pdf
Полумостовой IGBT-модуль 100 А, 1200 В DGA100H120M2T, 34 мм ДГА100Х120М2Т 34 мм 1200В 100А ДГА100Х120М2Т.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 180 А, 60 В DHS015N06E TO-263 DHS015N06E ТО-263 60В 180А Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+техническое описание+ред.1.0.pdf
50 А, 200 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F50N20 Ф50Н20 ТО-220Ф 200В 50А Спецификация устройства F50N20(1).pdf
150А 1200В Полумостовой модуль IGBT-модуль DGA150H120M2T 34 мм ДГА150Х120Л2Т 34 мм 1200В 150А ДГА150Х120Л2Т.pdf
4А 650В SiC диод Шоттки с барьером DCD04D65G4 ТО-252Б 650В 4А Спецификация устройства DCD04D65G4.pdf
150А 1200В Полумостовой модуль IGBT-модуль DGA150H120M2T 34 мм ДГА150Х120М2Т 34 мм 1200В 150А ДГА150Х120М2Т(1).pdf
6А 650В Тренчстоп изолировал биполярный транзистор ДГД06Ф65М2 ТО-252Б ворот ДГД06Ф65М2 ТО-252Б 650В 6А _datasheet.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com