未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукты
Модель:
Упаковка:
V:
A:
Выбранные линейки продуктов:

Все продукты

изображений модели Пакет v Анаширование данных сведения о данных Добавить в корзину
80A 400V Диод быстрого восстановления MUR80FU40NCT TO-3PN Mur80fu40nct До 3pn 400 В. 80A 英文版 mur80fu40nct 技术规格书 rev1.3.pdf
145A 30 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH028N03D до 252B DH028N03D До 252b 30 В 145а Устройство DH028N03 Specification.pdf
50A 120V N-канальный режим режима Power MOSFET DH150N12 TO-220C DH150N12 До-220c 120 В 50а Устройство DH150N12 Specification.pdf
20A 60 В. DH9Z24 До-220c 60 В 20А Устройство DH9Z24B1R Спецификация Rev.1.0.pdf
-30A -60V P-Channel Режим улучшения мощности MOSFET DH400P06LD до 252B DH400P06LD До 252b -60V -30а DH400P06LD & DH400P06LB_DATASHEET_V2.0.PDF
240A 100 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS025N10 до-220C DHS025N10 До-220c 100 В 240a Устройство DHS025N10 Specification.pdf
30A 600 В диод быстрого восстановления MUR3060NCT TO-3PN MUR3060NCT До 3pn 600 В. 30A 英文版 MUR3060NCT 技术规格书 Rev1.0.pdf
16A 400V Диод быстрого восстановления MUR1640CT до-220M MUR1640CT До 220м 400 В. 16A 英文版 MUR1640CT 技术规格书 Rev1.0.pdf
120A 100 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R До-220c 100 В 120a Устройство DH10H037R Specification.pdf
20a 100v Schottkybarrierdiode Mbra20100CT до-220M MBRA20100CT
63A 60 В n-канальный режим улучшения режима питания Mosfet DH132N06/DH132N06F/DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
30A 60 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 До-220c 60 В 30A Устройство DHZ24B31 Specification.pdf
10A 500V N-канальный режим режима Power MOSFET F10N50 TO-220F F10N50 До-220f 500 В. 10а 英文版 f10n50 技术规格书 (1) .pdf
N-канальный режим режима мощности Power MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 До-220c 85 В 120a Устройство DHS045N88 Speciation-Rev.1.0.pdf
20A 650V N-канальный режим режима Power MOSFET 20N65D TO-3P 20n65d До 3pn 650 В. 20А 英文版 20n65d 技术规格书 rev1.0.pdf
20A 500V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET F20N50 F20N50 До-220f 500 В. 20А 英文版 F20N50 技术规格书 Rev1.1.pdf
P-Channel Mode Mode Power MOSFET 30A 100 В DH100P28D до 252B DH100P28D До 252b -100 В. -30а Устройство DH100P28 Specification.pdf
10A 150V Low Schottkybarrierdiode MBR10R150CT TO-220C MBR10R150CT До-220c 150 В. 10а 英文版 MBR10R150CT 技术规格书 .pdf
Диод быстрого восстановления 60A 200V MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT До 3pn 200 В 60A 英文版 MUR6020NCT 技术规格书 Rev1.0.pdf
10A 400V N-канальный режим режима Power MOSFET 740 до-220C 740 До-220c 400 В. 10а Устройство 740 спецификация.pdf

Продукт видео

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com