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diodo de barreira sic Schottky DCET20D65G3 TO-263-2 de 25A 650V DCET20D65G3
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 10A 600V 10N60 10N60
5A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 5N50 5N50
180A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 PARA-220C 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+folha de dados+Rev.1.0.pdf
16A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650 V 16A Donghai DHSJ21N65Z Ficha técnica V1.0(1).pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 PARA-263 500 V 13A 英文版E13N50技术规格书.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700 V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf
10.6A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650 V 10,6A Especificação do dispositivo DJF380N65T Rev.1.0.pdf
Diodo de recuperação rápida 80A 1200V MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200 V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
-140A -60V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA PARA-220C -60V -140A Dispositivo+DTG050P06LA+Especificação+Rev.1.0.pdf
Diodo de recuperação rápida 80A 200V MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA TO-3PN 200 V 80A 英文版MUR80FU20NCA技术规格书.pdf
8A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650 V 8A F8N65技术规格书.pdf
180A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA PARA-263 100 V 180A Dispositivo+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Especificação+Rev.1.0.pdf
Módulo IGBT meia ponte 100A 1200V DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34mm 1200 V 100A DGA100H120M2T.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E PARA-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+folha de dados+Rev.1.0.pdf
50A 200V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200 V 50A Especificação do dispositivo F50N20(1).pdf
Módulo IGBT de meia ponte 150A 1200V módulo DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34mm 1200 V 150A DGA150H120L2T.pdf
Diodo de barreira SiC Schottky de 4A 650V DCD04D65G4 PARA-252B 650 V 4A Especificação do dispositivo DCD04D65G4.pdf
Módulo IGBT de meia ponte 150A 1200V módulo DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34mm 1200 V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
6A 650V Trenchstop isolou o transistor bipolar DGD06F65M2 TO-252B da porta DGD06F65M2 PARA-252B 650 V 6A _folha de dados.pdf

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